硅膜电池等效电路-.ppt

让不可能成为可能 Making the IMPOSSIBLE possible 硅基薄膜电池等效电路 报告人: 张文宇 时间：2011.12.25 硅基薄膜电池等效电路 一、激光刻线 二、太阳能电池等效电路 项目成员：王文杰 李杰欢 张文宇 邓锐 一、激光刻线 概述 为什么基板需要刻划？ 选择激光刻划的原因 相干性、单色性、方向性和极高的亮度 选择脉冲激光的原因 激光分光刻划系统 激光刻线系统由激光器导光单元和聚焦单元组成。导光单元由反射镜和分光镜组成，聚光单元通常有凸透镜及其配件组成。为减少激光束的发散角以及扩展激光束的直径，通常在激光器和导光单元之间增设一个扩束镜。 激光刻划示意图 3.2 激光刻蚀系统的实物模拟 送料系统 加工系统 定位系统 激光系统 除尘系统 控制系统 CCD定位 支撑万向球 等待基片 激光头 吸尘系统 上料 下料 ←X轴 基板加工工艺流程 生产非晶硅太阳能电池的主要设备和工艺流程 激光刻划三道线 P1： 1064nm红外激光 P2 P3：532绿激光 均采用从玻璃一侧入射 技术要求 A、线宽：L1=35μm、L2=50μm、L3=45μm (30-50 μm )； B、平行度，不平行＜10μm； 玻璃一侧入射原因 1.实际刻划中沿着刻线的TCO区会受到较显著的热影响，通过非晶硅膜和背电极膜沉积后，可以在玻璃一层观察到明显的热影响区。热影响区的电阻明显比正常TCO区大，相当于减少每个电池单元的面积，导致电池的填充因子和开路电压降低。但由于刻划TCO膜层的作用机理就是热效应，刻划边缘必定存在热影响区，应采用适当的功率减少该区域。 直接照射TCO膜层会产生显著的热效应 玻璃一侧入射原因 2.非晶硅膜层的烧蚀阈值比较低，直接激光照射会引起非晶硅的融化和沉积导致电池的填充因子和开路电压降低。下图是从膜层一侧和从玻璃照射的对比。 太阳能电池等效电路 光生伏特原理 施主杂质 受主杂质 光生伏特原理 太阳能电池等效电路 P-N结中由于多数载流子的扩散形成空间电荷区，光照射到空间电荷区时，产生电子-空穴对。在结电场作用下，电子被拉向N区，空穴被拉向P区，形成光生电流。 太阳能电池等效电路 光生伏特效应形成一个个电池单元，根据公司的太阳能电池板结构： 太阳能电池等效电路 将整块太阳能电池板看成一个单元，理想等效电路如下： 硅薄膜太阳能电池的理想等效电路 把光照下的P-N结看做一个理想二极管和恒流源并联，恒流源的电流即为光生电流Iph，ID为流过p-n结的总扩散电流。流过负载RL的电流IL= Iph-ID 太阳能电池等效电路 实际的硅薄膜太阳能电池中存在串联电阻Rs和旁漏电阻Rsh Rs主要由电池的体电阻、表面电阻，电极导体电阻和薄膜表面之间的接触电阻所组成， Rsh主要由硅薄膜电池边缘不清洁和体内的缺陷所引起的。由图可知 Rs越小分压越小， Rsh越大分流越小，能量损失越少，太阳能电池的光生伏特效应越好，越接近理想太阳能电池等效电路。 因此我们可以考虑到改善工艺 Rs↓：高导电率TCO选取 热老化 Rsh↓ ： 激光除边 结束 让不可能成为可能 Making the IMPOSSIBLE possible