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半导体物理 徐海涛 2005-2006 半导体中的电子能量状态 浅能级杂质 Group III and V 提供载流子 深能级杂质 复合中心 施主 受主 电子 空穴 Ec 杂质能带： 半导体物理 半导体中的电子能量状态 缺陷能级 半导体中杂质和缺陷能级 Defect Type Examples Point or Zero-Dimensional Defects Vacancy Defects Interstitial Defects Extrinsic Defects Line or One-Dimensional Defects Straight Dislocations (edge or screw) Dislocation Loops Area or Two-Dimensional Defects Stacking Faults Twins Grain Boundaries Volume or Three-Dimensional Defects Precipitates Voids 半导体物理 半导体中的电子能量状态 半导体中杂质和缺陷能级 Point Defects 半导体物理 半导体中的电子能量状态 半导体中杂质和缺陷能级 点缺陷 Frenkel缺陷：晶格中的一部分原子会获得足够的能量，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子，原来的位置成为空位。 Schottky缺陷：只在晶格中形成空位而无间隙原子。 晶体中空位比间隙原子多得多。(因为产生Schottky缺陷所需的能量较低） 半导体物理 半导体中的电子能量状态 空位：不饱和键，倾向于接受电子 ?? 受主 间隙原子：4 个多余的价电子 ?? 施主 对于 III-V 族, 如GaAs，除了热振动引起点缺陷外，还会由于 Ga，As 成分偏离正常的化学计量比（1:1），形成 Ga，As 空位。 半导体中杂质和缺陷能级 对Group IV的半导体而言 对II-VI族化合物(MX)而言 M空位或X间隙原子 ——— 受主 X空位或M间隙原子 ——— 施主 半导体物理 半导体中的电子能量状态 线缺陷: 位错(dislocation) 位错：刃位错(edge dislocation)和螺位错(screw dislocation) 位错对半导体材料的影响 可具有施主或受主作用 使晶格发生畸变，改变禁带宽度。 半导体中杂质和缺陷能级 半导体物理 半导体中的电子能量状态 位错产生的一排多余原子是不饱和键，有一个不成对的电子 若 失去电子 ?? 受主 俘获电子 ?? 施主 半导体中杂质和缺陷能级 深能级 半导体物理 半导体中的电子能量状态 半导体中杂质和缺陷能级 Photo of a Stacking Fault Screw dislocation 半导体物理 半导体中的电子能量状态 缺陷能级 半导体中杂质和缺陷能级 Defect Type Examples Point or Zero-Dimensional Defects Vacancy Defects Interstitial Defects Frenkel Defects Extrinsic Defects Line or One-Dimensional Defects Straight Dislocations (edge or screw) Dislocation Loops Area or Two-Dimensional Defects Stacking Faults Twins Grain Boundaries Volume or Three-Dimensional Defects Precipitates Voids 半导体物理 半导体中的电子能量状态 Quiz1. 请指出以下这两张图的错误，并说出原因。 半导体中杂质和缺陷能级 半导体物理 半导体中的电子能量状态 2。请画出Au在Si中的化学键示意图，并指出Au+ Au0 Au- Au2- Au3- 时的情况。 3。请翻阅资料，指出Si中常见缺陷的在禁带中的能级