半导体材料22.pptVIP

(二)、半导体材料 IV族（元素）、III-V族 、II-VI（氧化物）族半 导体 材料 1.典型半导体材料的应用与工艺技术 2 .硅和锗半导体材料 3. 砷化镓、氮化镓、磷化铟半导体材料 4. 氧化锌、硫化镉 1. 典型半导体材料应用与工艺技术（举例说明） （1）发光器件材料及工艺技术 （2）光伏器件材料及工艺技术 2.硅和锗半导体材料 （1）硅和锗的性质 硅和锗都是具有灰色金属光泽的固体，硬而脆。两者相比，锗的金属性更显著。锗的室温本征电阻率约为50Ω·cm，而硅的约为2.3×105Ω·cm，硅在切割时易碎裂。 硅和锗在常温下化学性质是稳定的，但升高温度时，很容易同氧、氯等多种物质发生化学反应，所以在自然界没有游离状态的硅和锗存在。 锗不溶于盐酸或稀硫酸，可溶于热的浓硫酸、浓硝酸、王水及HF-HNO3混合酸中。 硅不溶于盐酸、硫酸、硝酸及王水，易被HF-HNO3混合酸所溶解，因而半导体工业中常用此混合酸作为硅的腐蚀液。硅比锗易与碱起反应。硅与金属作用能生成多种硅化物，这些硅化物具有导电性良好、耐高温、抗电迁移等特性，可以用于制备大规模和超大规模集成电路内部的引线、电阻等。 3. 砷化镓、氮化镓、磷化铟半导体材料 IIIA族和VA族元素组成的IIIA-VA族化合物半导体。即Al，Ga，In和N, P，As，Sb组成的9种IIIA-VA族化合物半导体，如AlP，AlAs，Alsb，GaP，GaAs，GaSb，InP，InAs，InSb, GaN, InN等。 需要掌握GaAs， GaN, InP， GaSb，InN GaAs能带结构 直接带隙结构 双能谷：强电场下电子从高迁移率能谷向低迁移率能谷转移，引起电子漂移速度随电场的升高而下降的负微分迁移率效应 带隙为1.42 eV GaAs物理性质 GaAs晶体呈暗灰色，有金属光泽 分子量为144.64 原子密度4.42×1022/cm3 GaAs化学性质 GaAs室温下不溶于盐酸，可与浓硝酸反应，易溶于王水 室温下，GaAs在水蒸气和氧气中稳定 加热到6000C开始氧化，加热到8000C以上开始离解 GaAs电学性质 电子迁移率高达 8000 GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3 用GaAs制备的晶体管开关速度比硅的快3~4倍 高频器件，军事上应用 本征载流子浓度 GaAs光学性质 直接带隙结构 发光效率比其它半导体材料要高得多，可以制备发光二极管，光电器件和半导体激光器等 GaAs的应用 GaAs在无线通讯方面具有众多优势 GaAs是功率放大器的主流技术 光伏器件 发光器件 GaAs在无线通讯方面 砷化镓晶片与硅晶片主要差别，在于它是一种“高频”传输使用的晶片，由于其频率高，传输距离远，传输品质好，可携带信息量大，传输速度快，耗电量低，适合传输影音内容，符合现代远程通讯要求。 一般讯息在传输时，因为距离增加而使所能接收到的讯号越来越弱，产生“声音不清楚”甚至“收不到信号”的情形，这就是功率损耗。砷化镓晶片的最大优点，在于传输时的功率损耗比硅晶片小很多，成功克服讯号传送不佳的障碍。 砷化镓具有抗辐射性，不易产生信号错误，特别适用于避免卫星通讯时暴露在太空中所产生的辐射问题。 砷化镓与硅元件特性比较 GaAs非常适合高频无线通讯 GaAs是功率放大器的主流技术 砷化镓具备许多优异特性，但材料成本及良品率方面比不上硅，因基频部分以处理数字信号为主，内部组件多为主动组件、线路分布密集，故以细微化和高集成度纯硅CMOS制程为主。 手机中重要关键零部件功率放大器（Power Amplifier，PA），由于对放大功率的严格要求，因此使用GaAs制造将是最佳方式。 GaAs在无线通讯射频前端应用具有高工作频率、低噪声、工作温度使用范围高以及能源利用率高等优点，因此在未来几年内仍是高速模拟电路，特别是功率放大器的主流制程技术。 GaAs还有更多的应用领域 光纤通信具有高速、大容量、信息多的特点，是构筑“信息高速公路”的主干，大于2.5G比特/秒的光通信传输系统，其收发系统均需要采用GaAs超高速专用电路。 随着光电子产业和自动化的发展，用作显示器件LED、测距、玩具、条形码识别等应用的高亮度发光管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器等均有极大市场需求，还有GaAs基高效太阳能电池的用量也十分大，对低阻低位错GaAs产业的需求十分巨大而迫切。 我国数十亿只LED管芯，所有的可见光激光器、高亮度发光管、近红外激光器等几乎都依靠进口，因此生