第三章_溅射薄膜制备技术.ppt

七、离子束溅射 ●上述的7种溅射都是——阴极溅射： 靶和基板都处于等离子体中，基片在成膜过程中 受到周围环境气体和带电离子的轰击（特别是 高速电子），因此膜的质量往往差异较大。 ●离子束溅射是将离子的产生区和靶的溅射区分开。 考夫曼离子源 ●离子束溅射(IBS) ：高能离子束轰击靶材，产生溅射; ●离子束沉积(IBD)：低能成膜离子入射到基片，形成薄膜 ●离子束辅助沉积(IBAD)：低能非成膜离子入射基片， 提高成膜原子的能量。 问题：如何能实现用 离子源溅射绝缘靶？ 特点： (1)薄膜沉积区的真空度高，10-3-10-7Pa，气体杂质污染少，薄膜纯度高，附着力好。 (2)不产生辉光放电，没有等离子体的影响，各个溅射参数可分别控制，工艺重复性好。 (3)淀积发生在无场区域，负离子不会轰击基板，温升低。 (4)适宜作溅射的基础研究工作。 微量搀杂，准直性好 缺点：设备复杂，淀积速率较低。 作 业 1.比较蒸发和溅射镀膜的异同 2.试说明磁控溅射的原理和特点。 3.试说明射频溅射的原理，为什么在射频电压的正半周不会对基片形成溅射？ 4.查阅有关反应溅射制备氧化物薄膜的资料，写约1000字综述。 ●当m1=m2，?=0时， λ＝1，为最大值，完全能量转移 ●当m1 m2时， 所以电子不能溅射 ●当m1 m2时，重离子入射轻靶， 此时， v2 = 2v1 v2??v