SiO2薄膜致密性的表征.pdfVIP

第 41 卷第 5 期 微电子学 Vol. 41 , No. 5 0芒t. 2011 2011 年 10 月 Microelectronics ·半导体.a件与工艺· Si0 薄膜致密性的表征 2 泳，杜江峰 张富，荣丽梅，袁之光，郭宇恒，周 610054) (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法，分析了 摘 要: 论述了表征SiO z 它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化 薄膜样品，利用红外光谱法和折 SiO z 薄膜的致密性时，主特征吸 射牟法对样品进行了对比测试。结果表明，采用红外尤谱法表征SiO z 收峰频率不仅与薄膜致密性相关，还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影 薄膜致密性较为适用的方法。 响较小，是表征SiO z 薄膜;致密性;红外光谱法:折射率法 关键词 : SiO z 中图分类号: TN432 文献标识码:A 文章编号: 1004-3365(2011 )05-0759-04 Characterization of Densification for Si02 Film ZHANG Fu , RONG Limei , YUAN Zhiguang , GUO Yuheng , ZHOU Yong , DU Jiangfeng (State Key Lab. 01 Elec. Thin Films and Integr. Dev. , Univ. 01 Electronics Science . Techrwlogy 01 αína. Chengdu 610054 , P. R. αina) Abstract: Three ways to charactenze