第8讲 能带理论基础2.ppt

第5章;学习目标;5.3杂质能级;B是第III族元素，每一个B原子具有3个价电子。 B替位式掺入Si中，当它和周围的原子形成了共价键时，还缺少一个价电子，必须从别处硅原子中夺取一个价电子，于是在硅晶体的共价键中产生了一个空穴。 相当于形成了一个负电中心B－和一个多余的空穴;P的掺入，在导带底的禁带中形成一个杂质能级。（施主能级） 这个能级上的电子很小能量就可跃迁至导带，形成载流子。 使电子摆脱束缚所需要的能量称为杂质电离能。 ;B的掺入，在价带顶的禁带中形成一个空穴能级。（受主能级） 价带上的电子很小能量就可跃迁至空穴能级，形成载流子。 使空穴摆脱束缚所需要的能量称为受主杂质电离能。;除第Ⅲ、Ⅴ族元素，还有其他不需要杂质。 III、V族杂质的电离能都很小，所以受主能级很接近于价带顶，施主能级很接近于导带底。通常将??些杂质能级称为浅能级，将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质。 位于禁带中心附近的杂质能级为深能级。 浅能级：对半导体的导电性能直接贡献。 深能级：对半导体的导电性能没有贡献。形成电子-空穴复合中心，影响少子寿命。;5.4缺陷能级;线缺陷（位错）：具有不饱和的共价键（悬挂键），形成受主能级。另：位错上聚集杂质才引入能级。 面缺陷：晶界及表面，具有悬挂键，引入深能级。 体缺陷：沉淀及空洞，不引入能级。和基体界面产生缺陷能级。