数字电路与逻辑设计第2讲-附.pptVIP

B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：很薄，面积小，掺杂浓度低 集电区：面积大，掺杂浓度中 发射区：掺 杂浓度高 B E C N N P VBE RB VCE IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结，形成电流ICE 。 RC IBE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 ICE IB=IBE -ICBO?IBE IC=ICE+ICBO ?ICE B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IBE ICBO：发射极开路时集电结反向饱和电流 晶体管中的载流子运动和电流分配 JFET Joint Field Effect Transistor 中文名称： 结型场效应管 MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 中文名称： 绝缘栅型场效应管，或称金属氧化物半导体场效应管 场效应管有两种: 四、场效应管（ Field Effect Transistor） 1、结型场效应管（JFET） 具体分为： ① N沟道结型场效应管 ② P沟道结型场效应管 ① N沟道结型场效应管 D G S D G S N P P G（grid） S（source） D（drain） 基底:N型半导体 两边是P区 导电沟道 P