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光敏聚酰亚胺合成方法及应用的最新进展
Vol. 9No . 2
Jun. 1996 Journal of Funct ional Polymers 279
*
侯豪情 李悦生 丁孟贤* *
( 中国科学院长春应用化学研究所, 长春 130022)
韩阶平
( 中国科学院微电子中心, 北 100010)
从负性 正、性和化学增幅三个方面阐述了光敏聚酰亚胺(PSPI) 几十年来的研究和发展现
状, 并做了一定深度的讨论。
光敏聚酰亚胺, 正性光刻胶, 负性光刻胶, 化学增幅抗蚀剂
, ( PI)
, ( PSPI)
, , PSPI
[ 1]
PI , PSPI
, 1971 ,
Kerw in Goldrick[ 2] ( PAA ) ,
PSPI , , 48h ,
1976 , Rubner[ 3] ( U V )
, U V
( PAE) , PSPI
U V PSPI , PSPI
PI ( ) PAA PI
[ 4]
, PSPI ,
PSPI ,
1PSPI
, , ,
, , , ,
, , 1976 , Rubner ,
U V
* : 199 -10-27
* *
280
* : 2 2 2 2 2
R CH CH CH CH CH OOCCH CH
, ,
PSPI, 2m[ ]
230m , ,
( i 36 nm, h 40 nm, g 436nm) ,
,
i h g
PSPI , , ,
, , , PSPI , ,
PI
, M errem[ 6] PI
, :
2
2
120 mJ/ cm ( SiO ) , ,
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, [ 7] PI :
, 120 / 2 ,
mJ cm
[ 8]
40% , ,
[ 9, 10]
PI ,
:
281
Naoya Yoda Photomeece, 36 nm , T oray
[ 11]
PSPI , 12m, 810mJ/
cm2, 3040% , 28
PI PI , PI Pfeifer[ 12]
, :
: - 3, - 2 3
R CH CH CH
[ 13]
, :
PI PI PI U V
, , , , PI
, ,
PI , Ottenar Rohde[
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