慢正电子束流技术在金属合金微观缺陷研究中的应用进展.PDFVIP

慢正电子束流技术在金属/合金微观缺陷研 究中的应用进展∗ 1)2) 2)† 1) 2) 2) 2) 胡远超 ，曹兴忠 ，李玉晓 ，张鹏 ，靳硕学 ，卢二阳 ， 2) 2) 2) 于润升 ，魏龙 ，王宝义 1) （郑州大学物理工程学院，郑州 450001 ） 2) （中国科学院高能物理研究所 ，北京 100049） 摘 要 正电子湮没谱学技术是研究材料微观结构非常有效的一种特色的核谱学分 1 析方法，主要用于获取材料内部微观结构的分布信息，特别是微观缺陷结构及其 v 3 3 特性等传统表征方法难以获取的微观结构信息. 近年来，在慢正电子束流技术快 5 0 0 速发展的基础上，正电子湮没谱学技术在薄膜材料表面、界面的微观结构的研究 . 3 0 中得到了广泛的应用. 特别是正电子湮没谱学技术对空位型缺陷的高灵敏表征 7 1 0 能力，使其在金属/合金材料表面微观缺陷的形成机制、缺陷结构特性及其演化 2 : v 行为等研究方面发挥了独特的优势. 针对材料内部微观缺陷形成机制、演化机理， i X a 以及缺陷特性的研究，如缺陷的微观结构、化学环境、电子密度和动量分布等， n i h 正电子湮没谱学测量方法和表征分析技术已经发展成熟. 而能量连续可调的低 c 能正电子束流，进一步实现了薄膜材料表面微观结构深度分布信息的实验表征. 本文充分调研了慢正电子束流技术应用研究的最新进展，主要围绕北京慢正电子 束流装置在金属/合金材料微观缺陷研究中，针对微观缺陷特性的表征和表面微 观缺陷演化行为的应用研究成果展开综述. 关键词：慢正电子束流技术；金属/合金；微观缺陷；表面/界面 ∗ 国家自然科学基金 （批准号1980501010275076 资助的课题. † 通讯作者. E-mail: caoxzh@ihep.ac.cn PACS ：78.70.Bj, 29.90.+r, 61.80.-x, 68.35.bd 一、引言 自二十世纪六十年代以来，正电子湮没谱学（Positron Annihilation Spectroscopy，简记为 PAS ）已逐渐发展成为一种应用于物理学、化学、材料科 学，以及交叉学科等领域的核谱学分析技术. 该技术的基本原理是利用正电子的 缺陷捕获湮没特性反映缺陷局域特性（如缺陷位置的电子密度、动量分布等信息） [1] 的特点 ，通过探测正电子在材料中与电子发生湮没释放的γ 光子携带的信息， [2] 1 获取正电子湮没位置的微观结构信息 . 针对正电子湮没特性的研究工作一直在 v 3 3 不断创新发展. 在理论模拟方面，针对正电子湮没寿命和正电子湮没密度随动量 5 0 0 分布的变化，以及单能正电子在金属、半导体和高分子聚合物中的背散射系数、 . 3 [3][4] 0 入射区域分布