智能卡存储单元EEPROM、Flash和FRAM之间的性能比较.PDFVIP

智能卡存储单元EEPROM、Flash 和FRAM 之 间的性能比较 智能卡存储单元EEPROM、Flash 和FRAM 之间的性能比较 半导体存储器可分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数 据，后者即使在切断电源也可以保持数据。挥发性存储器又可分为 DRAM 和SRAM。而RO M 则是非挥发性存储器，ROM 在类型上根据用户是否可以写入数据而分为两类，一类是用 户可以写入的ROM，另一类是制造商在加工过程中写入的被称为MASK ROM。在可以写入 的ROM 中按写入方式分为O TP ROM （One Time Programmable ROM）、EPROM （Era sable Programmable ROM ）、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory 和FRAM(Ferroelectric RAM)等。 作为智能卡存储单元的非挥发性存储器主要包括电可改写可编程只读存储器 EEPROM、快 闪存储器Flash memory 以及铁电存储器FRAM。 EEPROM 是最典型的电可改写非挥发性存储器，是80 年代以来发展起来的一种非挥发性半 导体存储器，它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。EEPROM 的工艺基础是CMOS 工艺，随着CMOS 工艺向亚微米发展，EEPROM 的集成度在不断提高。 Flash Memory 和FRAM 都属于新一代非挥发性存储器，Flash Memory 是1987 年提出来的， 它是EEPROM 走向成熟和半导体技术发展到亚微米技术以及大容量电可擦写存储器需求的 产物，而FRAM 则是在七十年代就有了关键技术的突破，直至九十年代才迈入产业化阶段。 它是将铁电薄膜用于记忆数据的电容存储器，由于在存储单元上采用了铁电薄膜，FRAM 具 有高速、高频度的重写、低功耗以及非挥发性等优点。此外，FRAM 可以在低电压条件下完 成读出/写入的动作，尤其适合用于要求低功耗的智能卡以及携带式设备。 一． Flash Memory 和EEPROM 的性能对比： Flash memory 和EEPROM 都是电可擦写可编程的存储器，它们的原理是将数据以电荷的形 式储存在浮栅电极上。与EEPROM 相比，Flash 在集成度方面有无可比拟的优越性。由于F lash Memory 采用单管单元，可以做到很高的集成度，它的单元面积仅为常规EEPROM 的 1/4。 Flash Memory 单元的编程方法主要有两种：沟道热电子注入 （CHE）和隧道效应 （Fowler- Nordheim）。沟道热电子注入 （CHE）是目前Flash Memory 使用最为广泛的编程方式。沟 道热电子注入CHE 的编程时间为微秒数量级，而隧道效应 （Fowler-Nordheim ）编程时间则 通常为毫秒数量级。而EEPROM 的编程方式是隧道效应。因此，Flash memory 编程时间要 比EEPROM 快。 下表给出了 Flash Memory 和EEPROM 的性能对比： 耐久性 密度 单元中 充电 放电 编程 擦写 晶体管数 机理 机理 复杂度 EEPROM 好 中 双 隧道 隧道 简单 写入时 效应 效应 自动擦除 Flash 良好 高 单 电子 隧道 复杂 字组