Cu(In,Ga)Se2材料成分对其电池性能地影响3.PDFVIP

第 26 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 10 2005 年 10 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Oct . ,2005 Cu( In , Ga) Se2 材料成分对其电池性能的影响 刘芳芳 　何 　青 　李凤岩 　敖建平 　孙国忠 　周志强 　孙 　云 (南开大学信息技术科学学院 光电子薄膜器件与技术研究所 , 天津 　30007 1) 摘要 : 利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层 CI GS 薄膜 ,采用多种测试手段 ,研究其成分比例与 薄膜的电阻率 、载流子浓度 、表面粗糙度之间的关系 电阻率为 102 ～103 Ω ·cm 之间 ,是 Cu 、Ⅲ族元素 、Se 配比较 为合适的区域 载流子浓度在 1015 ～1016 cm - 3 范围内,薄膜表面粗糙度是随着 Cu/ ( Ga + In) 比呈下降趋势 ,Cu 越 多 ,表面越光滑 ,当 Cu/ ( Ga + In) 比超过 125 以后 ,变化趋势逐渐减弱. 当 Cu/ ( Ga + In) 比在 10 附近时 ,粗糙度处 于 30～60nm 之间. 在上述范围内,研制出转换效率为 12 1 %的 CI GS 薄膜太阳电池. 关键词 : CI GS 薄膜 ; 太阳电池 ; 转换效率 ; 成分比例 PACC : 7280 E ; 7280 T ; 7300 中图分类号 : TM6 15 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 过多种测试手段 ,研究 CI GS 薄膜的成分比例与其 1 　引言 材料性质及太阳电池性能参数之间的关系 ,并获得 了光电转换效率超过 12 %的 CI GS 薄膜太阳电池. [ 1] 作为清洁能源的各种薄膜太阳电池 越来越受 到世界各国的重视 ,其发展方向是获得高转换效率 、 2 　实验方法 低成本的太阳电池. 而 Cu ( In , Ga) Se2 ( 简称 CI GS) 薄膜太阳电池由于其廉价 、高效 、性能稳定和抗辐射 在 2mm 厚的 so da lime 玻璃上用 DC磁控溅射 μ 能力强而得到光伏界的重视 ,是下一代的廉价太阳 沉积 1～2 m 厚的 Mo 作为衬底 ,在此上面采用共 电池. CI GS 是一种四元化合物半导体薄膜 ,其禁带 蒸发的三步法工艺生长 CI GS 薄膜[3 ,4 ] ,薄膜厚度约 ( μ 宽度可在 104～167eV 之间 , 由其中的 Ga/ Ga + 2 m ,铜 、铟 、镓和硒四种元素各自有独立的蒸发源. In) 调整 ,并获得梯度带隙结构 ,从而与太阳光谱得 第一步首先蒸发 90 %左右的 In 和 Ga ,蒸发时间大 到最佳匹配 ,其光电转换效率成为各类薄膜太阳电 约在 15～20min ,衬底温度为 300～400 ℃;第二步蒸 池之首 , 目前 CI GS 薄膜太阳电池转换效率已经达 发 Cu ,时间大约在 25 ～30min ,衬底温度为