经典失效分析案例汇总.ppt

来自赛宝和华为的经典FA案例 Aug 30, 2012 应该改为已变色不良品 应该改为未变色不良品 Page 25 DSP C6203器件工艺失效分析 整机测试功能信号时断时续，用手轻轻按压或者开机一段时间故障现象会暂时消失 之前曾经出现过此类失效，二者的故障现象和失效定位几乎完全一致，当时的给出的结论是在拿板的时候该处DSP器件是承受外力最大的位置，从而容易造成失效。如此相似的失效现象重复出现，有必要进行更加深入的分析，以确定起失效的根本原因。 Page 26 无损检测分析－XRay分析 最初的故障定位在U21位置芯片的A1角附近，对该芯片A1附近区域进行X－Ray分析，结果如图1所示。发现除了存在较多的气孔，没有其他的异常现象。 Page 27 无损检测分析－IV曲线 重点对BGA器件的四边引脚进行分析 AA19和W22开路， AB21和W21时断时续。 Page 28 无损检测分析－ERSASCOP分析 芯片AB22位置角附近存在多处焊点的开裂现象，裂纹产生在器件侧焊盘同焊料球之间，当在该芯片处施加外力或者热应力的情况下，裂纹可能会暂时的愈合或者断开，因此，功能测试表现出时断时续的现象。 Page 29 有损检测分析－起拔试验 几乎所有焊点的断裂面都在器件侧焊盘与焊料球之间 断面光滑平整，属于脆性断裂 AB22角部分焊点端面颜色发暗，应该为断裂面在空气中曝露 Page 30 SEM显示断口为脆性断口 Page 31 韧性断口图象（推力试验） Page 32 一个正常焊点起拔后的各种断面位置 一般断面在焊料球中间或者是由于器件侧和PCB侧的焊盘从基板脱离 Page 33 有损检测分析－切片 器件侧焊盘为ENIG镀层 个别焊点器件侧出现的裂纹 裂纹产生在Ni层/IMC之间，并几乎贯穿整个界面。 裂纹的宽度为2～4微米左右。 裂纹在Ni层/IMC之间产生并扩展 Page 34 有损检测分析－切片 时断时续焊点器件侧出现明显裂纹 所有焊点PCB侧连接正常 Page 35 SEM 时断时续焊点器件侧裂纹背散射图象 所有焊点PCBIMC背散射图象 Page 36 有损检测分析－SEM和EDX 能谱分析的结果显示了断面Ni层的P含量过高。一般来说业界通用的标准认为ENIG焊盘Ni层中P的含量在9wt％～10wt％左右为宜。而从图中可以看出该批次器件样品的P含量已经达到了20wt％～25wt％。 断面P含量超高 Page 37 有损检测分析－线扫描 Page 38 有损检测分析－线扫描 从线扫描的结果看出，在Ni/SnPb的界面位置出现了大约一个微米厚度的P的峰值，说明在该层面存在着P富集的现象 解释：在焊点服役过程中界面处IMC不断生成和长大，会不断的消耗界面附近两侧的Ni和Sn，这就使原本P含量偏高的Ni（P）层在靠近IMC的地方形成含量更高的富P层；同理，IMC的另一侧会形成一个富Pb的区域。富P层的形成会造成焊点界面的严重弱化，在工艺操作或运输过程中即使是受到一些微小的应力，也容易导致器件焊盘从焊点脱离。 Page 39 改进措施 短期解决措施： 尽量减少单板加工过程中的热过程（比如减少回流焊液态以上温度时间，降低峰值温度等） 减小扣板在装配环节的受力，如规范操作、使用工装 后续新单板设计使用到该器件，需要确认不能布局在高应力区域，例如螺钉附近、扣板连接器附近、板边等。 根本解决措施 敦促加强DSP ENIG镀层工艺过程的控制 敦促尽快进行DSP 基板表面处理方式的改进（由ENIG镀层工艺转变为OSP镀层工艺） Page 40 附：黑盘判断依据4＋X方法 Page 41 外观检查 市场返回单板异物腐蚀分析 来源：市场运行近一年返修 失效现象：复位频繁，可能为某处短路导致 外观检查： 从外观上看比较明显的现象是有异物流过的痕迹 Page 42 失效分析 外观观察 如果流体导电的话完全可以造成器件引脚之间的短路 Page 43 失效分析 IC分析（离子色谱） 从返修样品上取少量异物，进行IC检测，结果显示为异物中含有较多的硫根离子。 EDX分析 对图中的1，2，3位置进行了EDX分析，结果见后页 Page 44 失效分析 EDX分析 Processing option : All elements analyzed (Normalised) Spectrum C O S Ca Total 1 17.77 59.31 12.43 10.50 100.00 2 17.44 60.44 11.55 10.57 100.00 3 12.76 62.86 12.90 11.48 100.00 Max. 17.77 62.86 12.90 11.48