基于TSV工艺地三维FPGA热分析.PDF

第 15 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．15，No．2 2017 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Apr．，2017 文章编号：2095-4980(2017)02-0302-05 基于 TSV 工艺的三维 FPGA 热分析 1,2 1 1 1 1 黄俊英 ，张 超 ，林 郁 ，孙嘉斌 ，杨海钢 (1.中国科学院 电子学研究所，北京 100190；2.中国科学院大学，北京 100190) 摘 要 ：为探索三维现场可编程门阵列(FPGA) 芯片温度的影响因素，提出一种三维FPGA 有限 元仿真模型。首先，利用商业有限元软件构建基于硅通孔(TSV) 、微凸块、倒装焊共晶焊球、无源 硅中介层、焊球阵列(BGA)焊球和印制电路板(PCB) 的模型。然后，利用该模型从定性和定量的角度 对不同TSV 数目及堆叠层数的三维FPGA 芯片进行温度分析。实验发现，底层芯片到顶层芯片的平 均温度呈递增趋势，且各层芯片的平均温度随TSV 数目的减少和堆叠层数的增加而升高。实验结果 与已发表文献中的结果一致，表明提出的仿真模型在分析芯片温度的影响参数方面的可行性。 关键词 ：三维现场可编程门阵列；有限元模型；硅通孔；堆叠层数 中图分类号 ：TN911.23 文献标志码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201702.0302 Thermal analysis for 3-D FPGA with TSV technology 1,2 1 1 1 1 HUANG Junying ，ZHANG Chao ，LIN Yu ，SUN Jiabin ，YANG Haigang (1.System on Programmable Chip Research Department，Institute of Electronics，Chinese Academy of Sciences, Beijin g 100190，China； 2.University of Chinese Academy of Sciences，Beijing 100190，China) Abstract ： To explore the factors affecting the temperature of the three dimensional Field Programmable Gate Array(FPGA) chip，a finite element simulation model targeted three dimensional FP GA is proposed. First，the model is constructed using commercial software Flotherm based on Through Silicon Via(TSV)，micro bump，flip chip eutectic bump，interposer，Ball Grid Array(BGA) solder ball and PCB. Then，the model is adopted to analyze the temperature of the thr