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组成。该文主要讨论了采用重心估算（CCP ）傅立叶相位偏转法（FPS ） 结果显示信号中的直流分量和背景噪声对 CCM 方法的仿真精度的影响 计算光点的位置。此外，为了验证上述理论的可行性，该研究利用计算 要比FPS 大；当光斑分别为艾里图样和高斯图样时，CCM 方法和FPS 方 机软件模拟并讨论了噪声信号对上述 2 种光电估算法的影响。数值仿真 法的计算精度基本相同。 图13 表3 参9 7、半导体技术 O471，TN301 2009040640 Schrodinger 方程化为Mathieu 方程，根据Bloch 定理讨论了系统能量分布， SiC 中基态施主能级分裂对杂质电离的影响/ 戴振清，杨克武，杨瑞霞 并用摄动法求解了方程的低阶不稳定区及其禁带宽度，系统自动呈现出 (河北科技师范学院)// 半导体技术. ―2009 ，34 （3 ）. ―232～235. 了能带结构，再现了带电粒子同掺杂超晶格相互作用的周期性特征。同 对 SiC 中基态施主能级分裂对杂质电离的影响，与温度、掺杂浓度和杂 时，由于不稳定区的宽度与粒子质量、势阱宽度和深度有关，只需适当 质能级深度的关系进行了系统研究。发现只有在高温且掺杂浓度低的情 调节这些参数，就可以调节带隙宽度，从而改变材料的光电性质。 图2 况下，能级分裂的影响很小可忽略不计，其他条件下均需考虑能级分裂 表0 参5 因素。随掺杂浓度的增加，能级分裂的影响增强；随温度的升高，能级 分裂影响的整体趋势下降，但存在峰值。当杂质能级深度发生变化时， O472 2009040646 能级分裂的影响显得比较复杂；曲线上的峰值随着能级深度的增加而向 硅发光研究与进展/ 张荣君，陈一鸣，郑玉祥，陈良尧 (复旦大学信息科 高温方向移动，能级越浅峰就越小；并且在高于某一温度时，随能级的 学与工程学院先进光子学材料与器件国家重点实验室)// 中国激光. ― 加深能级分裂的影响逐渐增强。 图5 表0 参12 2009 ，36 （2 ）. ―269～275. 微电子技术的瓶颈和信息技术发展的需求加速了光电子学在硅基材料上 O471.1 2009040641 实现光信息处理、光电子集成的研究，利用硅基材料制造出高质量的发 体各向异性场对界面自旋波存在条件的影响/ 关玉琴，萨茹拉，赵春旺 光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义。由于受间接带隙 ( 内蒙古工业大学物理系)// 固体电子学研究与进展. ―2009 ，29 （1）. ― 能带结构的限制，天然硅材料具有很低的发光效率，不利于硅光源的实 5～9. 现。通过采用人工改性的方法提高硅的发光效率，多孔硅、硅纳米晶体、 以海森伯模型为基础，只考虑最近邻相互作用，在计入外磁场和非周期 掺 Er3+硅纳米晶和硅的受激拉曼散射均是目前可实现硅发光甚至硅激光 性边界条件下，应用界面重参数化（IR ）方法，讨论了体各向异性场对 的可行途径。回顾硅发光研究的历史进程，归纳总结了近年来可实现硅 界面自旋波存在条件的影响，结果发现：不管耦合多弱都会存在声学-声 发光几种方法的原理、特点以及当前的研究进展。相信随着硅发光效率 学型界面自旋波；若存在能隙，随着各向异性场的变化还会存在声学-光 的提高及器件制备工艺的发展，硅发光研究不久将出现重大突破性成果， 学型界面自旋波和光学-声学型界面自旋波。 图6 表0 参18 并有可能引起新的信息技术革命。 图9 表0 参51 + O471.1 2009040642 O472 .1