图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析.PDF

第 卷 第 期 （ ） ３ ５ ｏｌ．５３ Ｎｏ．５ ５ 　 厦 门大学学报 自然科 学版 Ｖ 　 年 月 （ ） ２０１４ ９ ｅ．２０１４ Ｓ 　 Ｊ ｐ 　 ｏｕｒｎａｌｏｆＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ 　 　 　 　 ｙ ： ／ ｏｉ１０．６０４３ ．ｉｓｓｎ．０４３８ ４７９．２０１４．０５．０１３ ｄ ｊ －０ 图形化 基 薄膜热应变的有限元分析 Ｓｉ Ｇｅ ＊ ， ， ， ， ， ， ， 高 玮 亓 东锋 韩 响 陈松岩 李 成 赖虹 凯 黄 巍 李 俊 　 　 　 　 　 （ ， 建 厦门 ） 厦门大学物理与机电工程学院 福 ３６１００５ 摘要： ， 利用有限元方法模拟了图形化 Ｓ 衬底上外延 薄膜的热失配应变 研究了薄膜内部以及表面的应变分布情 ｉ Ｇｅ ， 、 ， ， 况 分析了应变与薄膜厚度 衬底尺寸的变化关系 结果表明 热失配应变在异质结构的界面处最大 沿外延层生长方向 ． ； ， ， ， ， ； ， 递减 在薄膜表面 中心区域应变最大 由中心到边缘逐渐减小 边缘发生突变 急剧减小 不同的膜厚下 薄膜表面应变 ， ， ； ， ， 分布规律相同 并且薄膜越厚 应变越小 图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响 当衬底厚度在 ６ ｍ 以内 宽 μ 度在 ， １ 以内时 更有利于薄膜应变的释放 ０ ｍ ． μ 关键词： ； ／ ； ； ； 图形化衬底 ＧｅＳｉ有限元法 热失配 应变