【2017年整理】EMC电磁兼容2015.doc

  1. 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
【2017年整理】EMC电磁兼容2015

第1章 概 论 1、英文缩写 电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)。 电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)。 电磁敏感性(ElectroMagnetic Susceptibility, EMS)。 2、电磁干扰三要素 形成电磁干扰必须同时具备以下3个因素: 1)电磁干扰源,是指产生电磁干扰的元件、器件、设备、分系统、系统或自然现象。 2)耦合途径(或称耦合通道),是指把能量从干扰源耦合(或传输)到敏感设备上,并使该设备产生响应的媒介。 3)敏感设备(或称被干扰设备、干扰接收设备),是指对电磁干扰产生响应的设备。 所有的电磁干扰都是由上述3个因素的组合而产生的,把它们称为电磁干扰三要素,如图1-3所示。 补、电磁干扰源--抑制 、 耦合途径 --切断 、敏感设备--减敏 3、电磁干扰的耦合途径,一般分为传导耦合方式和辐射耦合方式两种。电磁干扰源可通过其中的一种方式或同时通过两种方式,对敏感设备进行干扰。 4、敏感度门限是指敏感设备最小可辨别的不希望有的响应信号电平,即敏感电平的最小值。敏感程度越高,表示干扰作用响应的可能性越大,即设备抗电磁干扰的能力越差。显然,电气设备的敏感度越高,对信号响应的电平越小,对电磁干扰作用影响性能的敏感度门限也越低。 5、在分析和设计电气设备的电磁兼容性,或解决出现的电磁干扰问题时,首先必须分清干扰源、耦合途径和敏感设备三个基本要素,其中前两个因素尤其难于寻找和分析。在复杂的电气设备中,有时一个元(器)件既是干扰源,同时又被其他信号干扰;有时一个电路受许多干扰源的共同作用;有时干扰途径来自几个渠道,既有传导耦合,又有辐射耦合。 6、自然干扰源包括大气噪声源、天声噪声源和元器件内部的热噪声源等。大气噪声源包括雷电放电和局部自然干扰源;天声噪声源包括太阳噪声和宇宙噪声。 雷电电磁脉冲是最为严重的自然电磁干扰源。 7、人为干扰源:开关操作、静电放电、高压输电线路所产生的电磁辐射、无线电干扰源 10、电磁能量对人类活动有三大危害:①电磁干扰会破坏或降低电子设备的工作性能;②电磁干扰能量可能引起易燃易爆物的起火和爆炸,造成武器系统的失灵、储油罐起火爆炸,带来巨大的经济损失和人身伤亡;③电磁干扰能量可对人体组织器官造成伤害,危及人类的身体健康。 11、电磁兼容控制技术大体上分为如下7类: 干扰源抑制:滤波、接地、合理布线。 耦合通道切断:屏蔽、滤波、隔离。 空间分离:地点位置控制、自然地形隔离、方位角控制。 时间分隔:时间共用准则、雷达脉冲同步、TDMA。 频谱管理:频谱规划/划分。 电气隔离:变压器隔离、光电隔离、继电器隔离、 DC / DC 变换。 其他技术 12、电磁兼容性分析方法 按其发展过程,通常分为3种方法:问题解决法、规范法和系统法。 13、例(1) 将40W转换为dBW 例(2) 将40W转换为dBmW 例(3) 将8mV转换为dBuV 2、 第2章 传导耦合 1、 家用电吹风机对电视机产生干扰的耦合途径。 正因为实际中发生的电磁干扰是多途径的,反复交叉耦合,所以才使电磁干扰变得难以准确分析与控制。 2、辐射传输则是通过介质以电磁波的形式传播,干扰能量按电磁场的规律向周围空间发射。 2、传导耦合按其原理可分为3种基本的耦合形式,即电阻性耦合、电感性耦合和电容性耦合,可分别简称为阻性耦合、感性耦合和容性耦合。 3、频率越高,导体的电导率或磁导率越高,则集肤效应越明显,透入深度越小。受集肤效应的影响,在交流条件下的导线的实际电阻较直流时大,且频率越高,电阻越大。 4、在实际工程中,常见的有两种典型的电阻性耦合模式,即公共地阻抗耦合和公共电源耦合。 电磁干扰的量值表示: 在EMC测量中干扰的幅度可用功率来表示: PdBm=10lg(PmW/1mW) 亦可用干扰电压来表示 UdBuv=20lg(Uuv/1uv) 电压与功率的对应关系符合:P=U2/R 对于50Ω系统,1mW 0dBm=107dBuV 或 1uV 0dBuV =-107dBm 0dBW=1W=10lg1000dBmW=30dBmW 5、 如屏蔽不接地,则屏蔽体接收的干扰电压较大。一般将屏蔽体良好接地,则Us = 0。若导体2完全在屏蔽体内,导体2上的干扰电压为U2=Us,因屏蔽体接地,即Us = 0,故U2=0。 6、 导体2受干扰的程度取决于其暴露于屏蔽体外的部分与导体1之间的分布电容,暴露部分越长,则G12越大,干扰电压就越大。 7、 8、无论是要减小回路感应的电感性干扰,还是要减小回路对外界磁场的影响,关键在于减少磁场耦合的磁通。若将屏蔽体置于导体外,使其成为新的环路

文档评论(0)

liangyuehong + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档