第7讲 时序逻辑.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第7讲 时序逻辑

数字集成电路 时序逻辑 命名规则 In our text: 锁存器 a latch is level sensitive 寄存器 a register is edge-triggered There are many different naming conventions 触发器 For instance, many books call edge-triggered elements flip-flops This leads to confusion however 锁存器(Latch)和 寄存器( Register) 锁存器(Latches) Latch-Based Design Timing Definitions(锁存器) Timing Definitions(寄存器) Maximum Clock Frequency 7.2 静态锁存器和寄存器 7.2.1正反馈: 双稳态原理 亚稳态(Meta-Stability) 向静态锁存器写入一个值 7.2.2多路开关型锁存器 多路开关型锁存器-传输门构成 多路开关型正锁存器-NMOS传输管构成 7.2.3主从式边沿触发寄存器 主从式寄存器 Clk-Q Delay Setup Time 减小了时钟负载的主从式寄存器 非理想时钟 解决办法-伪静态两相位D寄存器 7.2.5 使用强信号直接写数据-静态SR触发器 交叉耦合的 NAND Sizing Issues 信号存储原理 7.3.1 动态边沿触发寄存器 把 动态锁存器变为伪静态锁存器 7.3.2 C2MOS-时钟控制CMOS寄存器 对时钟重叠不敏感- C2MOS 基于C2MOS的双边沿触发寄存器 Other Latches/Registers: TSPCR 7.3.3真单相钟控锁存器 Including Logic in TSPC TSPC Register 7.5 优化时序电路的方法——流水线 Latch-Based Pipeline 非双稳时序电路─ Schmitt Trigger Noise Suppression using Schmitt Trigger CMOS Schmitt Trigger Schmitt Trigger Simulated VTC CMOS Schmitt Trigger (2) 7.6.2单稳时序电路:信号翻转、脉冲 Monostable Trigger (RC-based)脉冲触发 不稳电路 (Oscillators) Voltage Controller Oscillator (VCO) Differential Delay Element and VCO 双稳电路 锁存器、寄存器、触发器 储存原理 时钟偏差 不稳电路 画出实现以下逻辑的互补CMOS晶体管图,(1)确定使其输出特性与反相器相似时的晶体管尺寸(反相器的Wp/Lp=6,Wn/Ln=2);(2)指出使上升和下降延时最好和最坏时的输入信号组合。 分析图(1)电路的工作特性,画出时钟信号和输入信号如图(2)所示时中间节点x和输出Q的时序图,并分析该电路的建立时间和保持时间分别是多少. Negative latch (transparent when CLK= 0) Positive latch (transparent when CLK= 1) AND latch Example: logic inside the latch A B A B 1、工作原理 2、时间参数 3、竞争问题 Reference Pipelined Log( a+b ) VTC with hysteresis Restores signal slopes Moves switching threshold of the first inverter 2.5 V M - V M + V in (V) Voltage-transfer characteristics with hysteresis. 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Vx The effect of varying the ratio of the PMOS device M 4 . The width is k * 0.5 m. m 2.5 V x (V) k = 2 k = 3 k = 4 k = 1 V in (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Vx 0 1 2 N-1 Ring Oscillator simulated response of 5-stage oscillator two stage VCO v 1 v 2

文档评论(0)

shuwkb + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档