【2017年整理】武汉大学级模电测验试题.docVIP

2013级《模拟电子技术基础》测验试题 一、填空题，每空1分（共10分） 1、PN结反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，击穿电压较小的一般为（ ）；反向击穿还可分为电击穿和热击穿两种，其中（ ）为不可逆击穿。 2、半导体导电沟道除了可分为N沟道和P沟道外，还可分成（ ）、（ ）和（ ）三种。 3、要使各级放大电路Q点相互独立，应采用（ ）方式；要放大直流信号只能采用（ ）方式。 4、在放大电路中引入直流负反馈，其目的主要是稳定放大电路的（ ）；在放大电路中引入交流负反馈，则是为了改善放大电路的（ ）；在（ ）中才会用到正反馈。 二、选择填空，每空2分(共10分) 1、若使PNP型BJT工作在放大区，其控制回路电源VBB和受控回路工作电源VCC 。 A. 皆为正 B. 前者为负、后者为正 C. 前者为正、后者为负 D. 皆为负 2、串联型稳压电路中的比较放大环节所放大的对象是 。 A. 采样电压 B. 采样电压与基准电压的均值 C. 基准电压与采样电压的差值 D. 基准电压 3、对于功放电路中的晶体管， 参数最不容易被越限。 A．ICM B．C．CEO D．PCM 和放大管的。 A．饱和失真 B． C．交越失真D． 5、交