两维！#计算机模拟！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6( ! #) ! ， ， ， J1 56( I 5 ! K0.L2- #) （ ） !3$#’C#)C6( ! C%*63( DEFD @GHABED ABIBED !#) E:/4 5 @:M; 5 A0 5 半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的 两维!# 计算机模拟! ） ） ） ） ! # $ # 刘成森 王德真 刘天伟 王艳辉 !）（辽宁师范大学物理与电子技术学院，大连 !!%#’ ） # ）（大连理工大学物理与光电工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 !!%#$ ） $ ）（中国工程物理研究院表面物理与化学国家重点实验室，绵阳 %#!’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #( ( #$ #) * !* 利用两维 方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律 详尽考 +,-./0123/430211 5 察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律，离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态，得到了半圆容器 内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律，获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律5 研究结 果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象，以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布 存在很大不均匀的基本物理规律5 关键词：等离子体源离子注入，鞘层，两维+,-./0123/430211 方法，离子运动轨迹 ： ， ， ， !$## 6 6## 6#%6 6#*7 子的动力学行为，反映离子注入过程中的物理规律 !? 引 言 是非常必要的，可以针对特定形状的样品设定工艺 过程、选择加工参数，有效地实现对样品表面注入剂 ［］ ! 量的控制 等离子体源离子注入（ ） 已经广泛应用于 5 @ABB ［— ］ 材料表面改性和半导体材料加工# ( 5 与传统的束 在实际应用（如汽车制造、医用材料和石油化工 线离子注入技术相比，等离子体源离子注入具有两 等）中，半圆形类的壳层工件广泛应用于人造器官， ［ — ］ 个显著优势，一是离子注入过程具有非“视线”性，不 转向机械以及耐腐蚀容器等领域!$ !( 5 这一类样 需要转动样品台和离子束扫描设备就可以使离子垂