材料科学基础第三章晶体缺陷1.pptVIP

第 三 章 晶 体 缺 陷 （一） ——点缺陷、位错的概念 华丽的表面背后是一颗颗孤独、寂寞、躁动不安的缺少爱与被爱的心！ 概 述 前面章节都是就理想状态的完整晶体而言，即晶体中所有的原子都在各自的平衡位置，处于能量最低状态。然而在实际晶体中原子的排列不可能这样规则和完整，而是或多或少地存在离开理想的区域，出现不完整性。正如我们日常生活中见到玉米棒上玉米粒的分布。通常把这种偏离完整性的区域称为晶体缺陷（crystal defect; crystalline imperfection）。 Introduction Introduction 1、点缺陷的平衡浓度公式 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量 的特征，位错分解与合成、位错反应 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、交割 4、关于位错的应力场、位错的应变能、线张力等可作为一般了解 5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型 Defect Classification Can be divided according to their geometry and shape 0-D or point defects 1-D or line defects (dislocations) 2-D (external surface