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第三章 SPICE中的器件模型 集成电路模拟程序SPICE SPICE在集成电路的晶体管级模拟方面，成为工业标准的模拟程序。 集成电路设计工程，特别是模拟和模拟数字混合信号集成电路设计工程师必须掌握SPICE的应用。 下面重点给出无源集成元器件的SPICE电路模型和相应的模型参数。 3.1 对器件模型的要求 电路模拟与设计需要建立元器件精确模型。 器件模型精度与计算量成反比，应在满足精度要求条件下采用尽量简单的模型（Compact Model）。 除器件模型外，应当使模型各参数有明确物理意义并与器件结构和工艺参数有直接的联系。 器件模型有两种构成方法：一是从工作原理出发，通过数学推导得出，该方法得出的模型有明确的物理意义；另一种是把器件当作“黑盒子”，从器件外部特性出发，得出外部特性数学关系。 Spice程序所包含的元器件种类如下： (1)无源元件：它们是电阻、线性和非线性电容、线性和非线性电感、互感和磁芯、无损耗传输线、压控开关和流控开关。 (2)半导体器件：它们是半导体二极管、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、砷化镓场效应管和可控硅器件等。 (3)电源：它们是独立电压源、独立电流源、四种线性和非线性受控源(VCVS， VCCS，CCCS，CCVS)。独立源中除了直流源外还有交流小信号源和瞬态源。 (4)子电路：在Spice中允许用户将上述三类元件组成的电路定义为子电路。子电路大小不限，可以嵌套。当电路由多个这样子电路组成时，这种定义是很方便的。但在实际模拟时，程序仍然是以上述三类元件为基本单元来计算的。 (5)宏模型：spice中的宏模型包括表格宏模型、数学函数宏模型和由Spice，已有的各类模型组合起来形成的构造型宏模型。 薄层集成电阻器 薄层集成电阻器 薄层电阻的几何图形设计 有源电阻 有源电阻是指采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用。 双极型晶体管和MOS晶体管可以担当有源电阻。 PN结电容 PN结电容 电容值依赖于结面积，例如二极管和晶体管的尺寸。 PN结电容的SPICE模型就直接运用相关二极管或三极管器件的模型。 MOS结构电容 MOS结构电容 MOS结构电容 电 感 传输线电感 互连线 互连线是各种分立和集成电路的基本元件。有不少人对这一概念不甚明确。 互连线的版图设计是集成电路设计中的基本任务，在专门门阵列设计电路中甚至是唯一的任务。 互连 线设计中应注意的事项 互连 线设计中应注意的事项 在连接线传输大电流时，应估计其电流容量并保留足够裕量。 深亚微米阶段的互连线技术 CMOS工艺发展到深亚微米阶段后，互连线的延迟已经超过逻辑门的延迟，成为时序分析的重要组成部分。 这时应采用链状RC网络、RLC网络或进一步采用传输线来模拟互连线。 无源元件模型 1、电阻模型 主要考虑了温度和噪声性能。 TC1和TC2分别是一次和二次温度系数。 Tnorm由OPTION语句确定，省却为27oC。 电阻的热噪声功率谱密度模型为： 2、电容模型 电容主要考虑了温度和压变特性。 VC1、VC2分别是一次和二次电压系数； TC1和TC2分别是一次和二次温度系数。 3、电感模型 电容主要考虑了温度和流变特性。 IL1、IL2分别是一次和二次电流系数； TC1和TC2分别是一次和二次温度系数。 7.2 二极管模型 1、直流模型 可以用于pn结及肖特基结正向与反向特性，并可用于描述二极管击穿——稳压管。 非平衡条件下正向偏置的PN结如下图所示： 图中给出耗尽型PN结的宽度是x P, x N，P区和N区的自然宽度是WP，WN。二极管的电流表达式为 式中热电压kT/q=25.86×103V，T＝300K，IS为反向饱和电流，n为发射系数。 其中AJ是二极管的横截面积，n i是本征载流子浓度，DN和DP是电子和空穴的扩散系数。ND＝nN0是自由电子浓度N区的热平衡值，NA＝pP0是空穴浓度P区的热平衡值。LP是空穴的平均扩散长度，LN是自由电子的扩散长度。 A区是载流子的产生 、 复合形成的电流区；