模拟电子技术基础(第四版)华成英课后答案第一章.pdfVIP

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用 “√”和 “×”表示判断结果填入空内。 （1 ）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型 半导体。（ ） （2 ）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3 ）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4 ）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5 ）结型场效应管外加的栅- 源电压应使栅- 源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其 R G S 大的特点。（ ） （6 ）若耗尽型 N 沟道 MO S 管的 UG S 大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ） 解：（1 ）√ （2 ）× （3 ）√ （4 ）× （5 ）√ （