第7章 半导体存储器试卷.ppt

(2) RAM的通常结构： 行 地 址 译 码 器 存储矩阵 读 写 控 制 三 态 ( ) 列地址译码器 An-1 Ai+1 Ai A0 I/O Wi Bi R/W CS 行译码器输出Wi线，以选中一行存储单元，列译码器输出Bi线，从已选中的一行存储单元中再选中1位或几位。 R/w= 0，执行写操作； 1，执行读操作。 CS= 0，允许读写操作； 1，数据线为高阻态。 1.存储矩阵 存储矩阵由大量存储单元构成，通常排列成矩阵形式，每个存储单元存放1位二进制数据。存储器一般以字为单位组织内部结构，一个字含有若干个存储单元，存储单元的个数称为字长。字数和字长的乘积叫做存储器的容量。 2.地址译码器 地址译码器用以决定访问哪个字单元，它将外部给出的地址进行译码，找到惟一对应的字单元。一般RAM都采用两级译码，即行译码器和列译码器。行、列译码器的输出即为行、列选择线，由它们共同确定欲选择的地址单元。 3.读写控制电路 读写控制电路对电路工作状态进行控制，一般包含片选和读写控制两种作用，片选信号(CS’)用以决定芯片是否工作，当片选信号有效时，芯片被选中，RAM可以正常工作，否则芯片不工作。读写控制信号（R/W’）用以决定对被选中的单元是读还是写，R/W’为高电平时进行读操作，低电平时进行写操作。 读写控制电路 (3) RAM的分类： 1、SRAM：（Static RAM） 主要利用静态触发器的自保功能存储数据。 * 双极型RAM存储单元：TTL、ECL、IIL * 六管静态MOS RAM单元： 六管静态存储单元电路 功耗低，可用电池供电 双极型RAM的静态存储单元 高速存储 略 SRAM的结构框图 略 例：1024×4位RAM（2114）的结构框图： 100000 0 0 0 0 略 SRAM 示例图片 1 SRAM 示例图片 2 主要利用MOS管栅极电容的存储电荷的原理 * 四管动态、三管动态（早期） 外围控制电路简单、读出信号大，但不利于集成； * 单管动态存储单元： 2、DRAM (Dynamic RAM) DRAM的总体结构框图 略 半导体存储器典型示例 示例1 —— 移动U盘： FALSH MEMORY 示例2 —— 闪存卡： FALSH MEMORY 示例3 —— 内存条： DRAM 示例4 —— BIOS芯片： EEPROM 示例5 — CMOS SRAM： SRAM 其它示例—— ？？？ 非半导体存储器 计算机系统中存储器示例及对比小结 用激光束读/写 非半导体存储器 光盘 依据磁粒子的极性读/写 非半导体存储器 硬盘/移动硬盘、软盘、磁带机 外部存储器 掉电数据易失 RAM(DRAM) 内存条 掉电数据易失 RAM(SRAM) Cache 掉电数据易失 RAM(SRAM) CMOS 读/写操作灵活性及速度、掉电数据不易失 ROM(Flash) 闪存卡 读/写操作灵活性及速度、掉电数据不易失 ROM(E2PROM、Flash) U盘 读/写操作灵活性及速度、掉电数据不易失 ROM(E2PROM、Flash) BIOS 内部存储器 判断依据 所属类型 具体示例 类型 工艺较复杂。 功耗低、集成度高（目前被大容量的存储器采用） NMOS、CMOS等 MOS型 TTL、ECL、I2L等 双极型 制造工艺 动态存储器（DRAM） 断电后数据会丢失。 总特点：正常工作状态下便可随时向存储器里写入或从中读出数据。SRAM的存取速度快；DRAM的集成度高。 静态存储器（SRAM） 随机 存储器 （RAM） 可擦除的可编程ROM（EPROM、E2PROM、FLASH） 可编程ROM（PROM） 只适用于存储那些“固定”数据的场合。 总特点：在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。优点：电路结构简单；断电后数据不会丢失。 掩模ROM 只读 存储器 （ROM） 存取功能 缺点 优点(特点) 类别细分 类别 分类原则 存储器小结 §7.4 存储器容量的扩展 当用一片ROM或RAM器件不能满足对存储容量的要求时，就需要将若干片ROM或RAM组合起来，形成一个容量更大的存储器。 一、位扩展方式： 如果每一片ROM或RAM中的字数已经够用而每个字的位数不够时，应采用位扩展的连接方式。 扩展的方法是： 确定RAM/ROM 芯片数； 将各芯片的地址线、片选线、读写线对应并接在一起； 而使各芯片的数据端各自独立，作为存储器字的各条位线。 用8个1024×1位RAM构成的1024×8位的存储器 例 例：试用1024×2 R