SiGe异质结双极晶体管的基区优化.pdfVIP

第 43 卷第 3 期 微电子学 Vo l. 43 , No. 3 Microelectronics Jun. 2013 2013 年 6 月 SiGe 异质结双极晶体管的基区优化 刘冬华，石晶，钱文生 (上海华虹 NEC 电子有限公司，上海 201206) 摘 要: 对应用于高频微波功率放大器的 SiGe 异质结双极晶体管(HBT) 的基区进行了优化。 研究发现，器件对基区 Ge 组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高 Ge 组分并形 成合适的浓度分布，可以有效地改进SiGe HBT 的直流特性，同时能够提高器件的特征频率。晶体 管主要性能的提高使SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域得到更加广泛的应用。 关键词: SiGe; 异质结双极晶体管;基区优化; Ge 组分;掺杂浓度 申固分类号: TN431 文献标识码:A 文章编号: 1004-3365(2013)03-0431-04 Base Region Optimization of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors LIU Donghua , SHI Jing , QIAN Wensheng (Shang阳， i Huahong NEC Electronics Company , S阳ng阳， i 201206 , P. R. αina) Abs仕act: Base-r，唔ion optimization of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) for high-frequency microwave power amplifier was investigated. It was found that the device was sensitive to Ge component and doping concentration in the base-region. By employing a heavily doped base region in conjunction with high Ge content in proper profile，田二 property of the SiGe HBT could be effectively improved , and its cut-off frequency could also be enhanced. The improvement of major performance of transistor makes SiGe HBT technology more essential in microwave/RF applications. Key words: SiGe; HBT; Base-region optimization; Ge component; Doping concentration EEACC: 2570B 分有两种分布。一种是由 Daimler-Benz 和 Temic 共同采用的均匀基区分布，使用比例较高的 Ge 组 1 引言 分，同时提高基区的掺杂浓度，可以降低噪声及基区 随着射频器件和 IC 技术的发展，对半导体器件 电阻，提高注入效率，减小发射结电容，并抑制基区 的频率性能要求日益提高，以硅材料为基础的器件