方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律.pdfVIP

第56卷第11期2007年11月 物理学报 Chin Soe． 1000—3290／2007156(I1)／6722．05 ACTAPHYSICASINTCA @2007PhvB 方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律。 罗宇峰钟 澄 张 莉严学俭 李 劲 蒋益明+ (复旦大学材料科学系．上海200433) (2007年3月7日收到；2007午4月6日收到修改精) 提出并建立了一种基于方块电阻测量的原位表征cu薄膜氧化反应动力学规律的方法．利用cu薄膜方块电阻 随氧化时间的变化情况．得到氧化产物厚度与氧化时间的美系，反应动力学表征结果符合抛物线规律还利用不同 的氧化反应温度条件和对应的抛物线常数之间的芰系得到体系的扩散激活能．结果表明，提出的表征方法适用于 cu薄膜氧化反应体系． 关键词：cu薄膜，氧化反应，动力学，丧征 PACC：8160．6630，6822 对较厚的膜，同时还存在操作复杂的问题u“；台阶 1．引 言 仪仅适用于可以分离界面的场合”1．此外，其他常 用的微观表征方法如二次离子质谱仪(sims)、高分 近年来，电子器件向着更高集成度，更快运行速 度，更低功耗与更多功能趋势发展，导致以前在该领 及原子力显徽镜(AFM)等主要适用于静态问题，而 域广泛使用的Al材料逐渐由电学、热学与力学综合 在探求界面反应的进行速率、影响因素等动力学问 性能更优良的cu，舡替代1“。．如集成电路芯片由 题上，则存在着一定的局限性． Al互连向cu互连过渡，许多功能器件如传感器、光 因此，随着薄膜氧化行为研究的日趋重要及传 电存储器中也大量涉及cu，衄材料，而且许多情况 统表征手段在该领域内的局限性，迫切需要寻找到 下均以薄膜形式使用。。“． 适用于纳米尺度薄膜的简易表征手段．而这一表征 由于电子器件尺寸减小，膜的大气隔层厚度降 方法需至少具备以下两个特点：1)具有较高的灵敏 低．从而使得制造与使用中的腐蚀影响问题不容忽 度，能表征纳米量级的氧化反应；2)简易快速因为 视”]．其中薄膜氧化是一个重要方面“…1．然而到 薄膜的界面过程一般不同于块体材料，其反应会快 目前为止．人们在此方面所关心的人量问题并没有 于相应的体材料，这就要求表征手段也相对快速． 得到解决，这其中包括cu，他薄膜的氧化反应动力 根据以上两点要求，本文建立了以方块电阻测 学过程表征方法尚未完全成熟；对相关规律和对应 量为手段的cu薄膜氧化动力学原位表征新方法． 机理缺乏了解． 测量氧化过程中的cu薄膜方块电阻，利用电阻随 目前已有的动力学表征方法主要为称重法”。” 氧化时间的变化情况，经过一系列的推算，得到氧化 和膜厚测量法”。…．但它们在纳米尺度薄膜的表征 产物厚度与氧化时问的关系．并研究不同温度下的 中都有明显的局限性．称重法的局限是精度不够，如 氧化动力学规律以获得体系的扩散激活能． c打大小，厚度 值得注意的是，在氧化过程中薄膜表面是否保 电光分析天平的精度为o．1哗，而1 为10nm的cu膜即使完全氧化，其质量变化也小于持均匀、平整关系到方块电阻测量值的可靠性；此 0．1 外，cu的氧化反应最终产物有CuO和Cu，O两种，产 mg；另外，如采用扫描电子显微镜(SEM)等直接 测量方法确定样品的氧化层厚度，则一般适用于相