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半导体物理吉林大学半物第十章
光照产生的非平衡载流子,开始时它们的能量比平衡载流子的平均能量高,或者说这些载流子的分布不同于平衡分布。但经过极短的时间,通过和晶格的碰撞,它们把多余的能量传递给晶格,使本身的能量相应于平衡分布。因此,非平衡载流子在其存在的大部分时间内,与平衡载流子的迁移率相同。 认为μn是一致的, μp也是一致的。 WHY? 本征光电导 二、定态光电导及其弛豫过程 1.定态光电导:恒定光照下,达到稳定态的光电导; 2.光电导的弛豫:光照 光电导率逐渐增加 稳定; 停止光照后 光电导率逐渐下降 消失。 光电导的弛豫反映了光生载流子的积累和消失过程。 3. I:光强(单位时间,通过单位面积的光子数), 设强度为I的光均匀地垂直照射到样品表面,α为吸收系数, , 则 吸收一个光子产生载流子的数目 如果I是以光子数表示的光强(即单位时间通过单位面积的光子数),则单位时间,在单位体积中吸收的光子数为 . 对应于上升曲线 对应于下降曲线 (图10.17) (有光照:) (停止光照:) 光电导的驰豫代表光电导对于光强变化反应的快慢。 通常引入驰豫时间来表征光电导上升和下降所需时间的长短,弛豫时间定义为 上升和下降到定态值的一半所用时间,对于小注入,为 ;对于大注入,为 。 讨论:定态光电导 线性光电导: (与光强成正比) 抛物线性光电导: (与光强平方根成正比) 定态光电导越大,光敏电阻的灵敏度越高。 线性光电导中, 越大,定态值 越大,则光敏电阻灵敏度越高。但对于高频信号,驰豫时间必须足够短,光电导才能跟上光信号的变化。所以,实际应用中,既要灵敏度高,又要驰豫时间短,则需要选择适当材料来制作器件。 四、陷阱效应及其对光电导的影响 半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成能级,它们的作用除了起施主、受主和复合中心作用外,还能引起陷阱效应。 在热平衡情况下,每种杂质能级上都有一定数目的电子,通过电子的俘获和激发过程与能带之间保持平衡。当半导体处于非平衡态时,这种平衡遭到破坏,引起杂质能级上电子数目的变化。 若电子增加了,则说明该能级能收容一部分电子;若电子减少了,则可以看成该能级收容了空穴。 非平衡载流子注入将使Nt上电子数变化 * 第十章 半导体的光学性质 半导体的光学性质是半导体物理性质的最主要的方面之一。 半导体光电效应是各种光电器件的基础。 光学方法是研究半导体的能带结构和检测材料参数的一种重要手段。 第十章 半导体的光学性质 ● 10.2 本征吸收 ● 10.3 激子吸收和其它吸收过程 ● 10.4 光电导 ● 10.5 丹倍效应和光磁效应 ● 10.6 光生伏特效应 光电效应:光电器件的基础; 光学方法:研究能带结构及特性参数的手段。 (10.11) (10.12) 称为吸收系数: 的物理意义:光在介质中传播距离为 时,光的强度 衰减到原来的 。 半导体吸收系数:p.293 ? 角频率为 的平面电磁波,沿固体中x方向传播时,电场强度: 光强: (10.11) ? 反射率与透射率的关系: R:反射率 T:透射率 §10.2 本征吸收 一、光在电介质中传播时强度衰减的现象,称为光吸收 电子吸收光子能量后将跃迁 (即能量状态改变) 1、本征吸收:电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收。它是最重要的吸收,又叫基本吸收。 本征吸收产生电子-空穴对,从而引起光电导。 2、本征吸收限: 3、吸收谱: 4、吸收边:吸收限附近的吸收谱。 图10.2 InSb的吸收谱 吸收曲线在短波段陡峭上升,是半导体吸收谱的一个突出特点,标志着本征吸收的开始。 5、本征吸收:直接跃迁 间接跃迁 二、直接跃迁 对于典型半导体(假定Eg≈1eV),引起本征吸收的光子波长为: 光子的动量 原子间距 电子跃迁要求满足两个守恒:能量守恒,准动量守恒。 电子吸收光子产生跃迁时波矢保持不变(电子能量增加)。这就是电子跃迁的选择定则。
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