《模拟电子技术基础》半导体二极管及其应用.pptVIP

1.1.1 PN结的形成;+14;平面结构;Si;Si;Si;;电子和空穴的产生过程动画演示; 本征激发使空穴和自由电子成对产生。;半导体导电机理动画演示;1) 在半导体中有两种载流子;2．杂质半导体 ;Si;Si;+;N型半导体的形成过程;c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流子，简称少子。;(2) P型半导体 ;Si;Si;;-;P型半导体的形成过程;c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；;N;使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区;PN结形成过程动画演示;耗尽层 势垒区 空间电荷区;当N区和P区的掺杂浓度不等时：;1.1.2 PN结的单向导电性;PN结正偏动画演示;小结： ▲当PN结加上正向电压时，形成 多子的扩散电流（较大）。;;PN结反偏动画演示;小结： ▲当PN结加上反向电压时，形成少子的漂移电流（很小）。 ▲因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。 ;1.1.3 PN结的电压与电流关系;IS—PN结反向饱和电流;（1）当u=0时，i=0;思 考 题;1.2 半导体二极管;半导体二极管的外型和符号;半导体二极管的类型;1.2.2 半导体二极管的伏安特性 ;(1) 整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。;(3) 导通后（即uD大于死区电压后）;2．反向特性 ;(2) 当;c. 降低反向电压，二极管仍能正常工作。;a. 齐纳击穿 ;条件：半导体的掺杂浓度低;1.2.4 半导体二极管的主要电参数;4. 反向电流IR;5. 正向电压降UF;二极管的几种常用的模型;2) 电路模型;2) 电路模型;2) 电路模型;1.2.3 温度对半导体二极管特性的影响;思 考 题;1.3 半导体二极管的应用;设;1. 工作原理;b. 当u20时;1.3.2 在检波电路中的应用（无线通讯）;u1;1.3.3 限幅电路;ui;输入端电压波形;1.4 特种二极管;1. 硅稳压管的主要电参数;（1）;2. 硅稳压管的等效电路;3. 硅稳压管稳压电路;(1) 稳压原理 ;b. RL改变 ;(2) 限流电阻计算;图中 ;为保证管子安全工作应使;思 考 题;电阻量程 ×1 ×10 ×100 ×1k;写出电路方程;例2 设图示电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、B两点之间的电压ＵAB值。 ;解：判断电路??二极管导通的方法： ;对于图 b，在电路即将导通时，;例3. 电路如图所示。设D1 、D2 的性能均理想，输入电压uI的变化范围为0~30V。画出电路的传输特性曲线。;解：当D1、D2均导通时;代入有关数据得;例4 二极管的伏安特性如图所示，试画出二极管的电路模型。