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为世界输出优质动力 中电电气（江苏）股份有限公司 市场中心 环氧干变事业部 技术工艺处 多晶硅还原炉专用环氧树脂浇注干式变压器 目 录 2 产品特点 1 4 3 主要技术参数 结构及工艺描述 5 附件性能说明 试验项目 1）线圈采用优质绝缘材料，使线圈具有较高的耐热性能 高压线圈采用H级绝缘的铜导线绕制，并采用HUNTSMAN的H级绝缘环氧树脂浇注，低压线圈采用H级绝缘的SHS作为层间绝缘，变压器耐热等级达到了H级，耐热温度180℃，产品运行更安全。 产品特点 1 运行中的还原炉变压器 ZLSCB10-5000/10 （二）电磁设计原则： 考虑谐波对铁心的影响，在合理的成本范围内，在保证变压器各项性能指标的前提下，尽量降低变压器的损耗，减少设备在寿命期内的电能消耗，为用户提供节能型产品。 还原炉变压器二次绕组中流过的是非线性电流，谐波含量大，会在铁心中产生高次谐波磁通，容易引起过激磁而造成磁饱和现象。因此，在设计还原炉变压器时选取的磁通密度通常比一般干式电力变压器小,在1.5T以下 。 运行中的还原炉变压器 ZLSCB10-5000/10 （三）谐波对温升的影响： 由于负载特性的影响，还原炉变压器的工作电流是非正弦，还原炉变压器实际工作时产生的总损耗要远远大于基波工频电流产生的总损耗。 根据IEC61378《变流变压器—第1部分：工业用变流变压器》的观点，整流变压器的温升试验损耗必须以额定负载损耗加谐波负载损耗，我司根据调功柜或多晶硅厂家提供的各次谐波电流含量，准确计算出高次谐波电流所产生的涡流损耗，加上变压器基波电流下的损耗用来考核变压器的温升，并以此作为温升设计依据。 先给出基波电压和基波电流时，变压器额定负载损耗如下： P1=I12R+PW1 式中：P1 -基波额定电流I1下负载损耗（W）；I1 -基波额定电流（A）； R -绕组直流电阻（Ω）； PW1 -基波电流I1下绕组涡流损耗（W） 根据 IEC61378，由绕组谐波电流产生的负载总损耗（额定负载损耗与谐波负载损耗之和）为： PN=ILN2R+FW×PW1 式中： PN–谐波电流下的负载总损耗（W）； ILN - 额定变流负载下的绕组电流方均根值（A）； FW -绕组谐波涡流损耗增加系数。 其中： Ih-第h次电流的方均根值（A）； h-谐波次数。 即对额定容量的整流变压器，在施加负载总损耗PN的试验中，其绕组温升必须合格。其中，温升试验可在额定基波电压，施加基波电流为1.15倍 额定电流条件下进行。 我公司降低整流变压器负载损耗的措施如下： 选取宽厚比大的导线，降低绕组的辐向尺寸，从而减少漏磁在绕组中产生的涡流损耗； 还原炉变压器电流比较大，易产生杂散损耗的主要结构件（如铁心拉板）采用不导磁材料，从而降低结构件中的杂散损耗； 绕组内部设置散热气道，保证变压器的良好散热性能，降低变压器的运行温升，电阻会随着温度的降低而减小，一定程度上降低了变压器的负载损耗； 在合理成本的情况下，尽量选取截面积大的导体，降低产品的电流密度。减小绕组的直流电阻，减少损耗。 主要技术参数 变压器类型：多晶硅还原炉专用环氧浇注干式变压器 绝缘等级：H级 相数:三相 额定频率:50HZ 额定电压(高压绕组/低压绕组):10±2X2.5%/（根据用户需要） 短路阻抗：8% 温升水平：125K 接线组别：Diii 变压器副边为独立的多抽头单相线圈。 2 结构及工艺描述 1）铁心 采用优质高导磁硅钢片，45度全斜7级步进搭接，减少磁阻，降低接缝处磁密，从而有效地降低了空载损耗、空载电流和变压器的噪声； 合理选择磁密，避开硅钢片磁滞伸缩较大的区间，优化设计铁芯外形尺寸，使其固有振动频率避开磁滞伸缩振动的基频及二、三、四次高频的频带范围，有效地消除了谐振的产生； 采用亚洲首台全自动数