1 半导体器件-三极管场效应管(gai).pptVIP

第1章 半导体器件 三极管电流形成原理演示 共射输出特性 需要注意的问题: 1.PNP型双极型三极管的放大原理 外加电压,载流子,电流方向 2.关于饱和的进一步理解 结型场效应管结构 结型场效应管输出特性 N沟道MOS绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管工作原理 绝缘栅场效应管工作原理 转移特性曲线 跨导gm 输出特性曲线 UGS=UT 固定一个U DS，画出ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线 U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 可变电 阻区 恒流区 击穿区 二、MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 N导电沟道 未预留? N沟道增强型 预留? N沟道耗尽型 金属-氧化物-半导体场效应管 P N N G S D G S D N沟道增强型 （2）符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 （3）、工作原理（N沟道增强型） 利用UGS来控制感应电荷的多少，从而改 变由这些感应电荷形成的导电沟道的情况， 达到控制漏极电流的目的。 P N N G S D UGS=0时，不导电。 S D B P N N G S D B VGG N型沟道 UGSUT时，衬底形成一个N型层，标志着形成导电 沟道，把S和D连接起来。 当加上UDS,并且UDSUGS-UT,即UGD=UGS-UDSUT。 形成电