SDRAM工作原理分解.ppt

SDRAM工作原理 记忆集团 设计中心 2006年12月12日 目录 内存在计算机系统中的应用 内存系统结构 SDRAM工作原理 推动内存技术发展的要素 MODULE设计考虑要点 SDRAM工作原理- DRAM初始化 SDRAM工作原理- 行打开(ACTIVATION) SDRAM工作原理- 读操作 读打断读 写打断读 T=TRCD+CL T=CL T=TRP+TRCD+CL T=TDQSS * * 内存在计算机系统中的应用 内存系统结构 SDRAM工作原理 推动内存技术发展的要素 MODULE设计考虑要点 内存在计算机系统中的应用-主板示意 内存在计算机系统中的应用-主板系统 内存在计算机系统中的应用-内存请求 内存在计算机系统中的应用-CPU对内存访问-1 内存在计算机系统中的应用-CPU对内存访问-2 INTEL 865G MCH中的DRAM地址转换 内存在计算机系统中的应用-CPU对内存访问-3 内存在计算机系统中的应用 内存系统结构 SDRAM工作原理 推动内存技术发展的要素 MODULE设计考虑要点 内存系统结构 内存系统结构-示意图 内存系统结构-DRAM内部结构 内存系统结构-RANK 独立响应控制信号并反馈数据的单元,对于SDRAM一个RANK对应64位数据宽度 CS#, CKE, ODT 内存系统结构-BANK 内存系统结构-RAW 内存系统结构-COLUMN 列是内存系统内部数据传输的最小单元 PAGE大小=2^COLUMN*DRAM DATA WIDTH 如: 64Mb*8 IC, 列数为10, DRAM位宽为8, 则页容量为2^10*8=8192 内存系统结构-数据读取 EDE5108AGBG 64Mbx8 = 4Bank x 16KRow x 1KColum x 8 bit 内存在计算机系统中的应用 内存系统结构 SDRAM工作原理 推动内存技术发展的要素 MODULE设计考虑要点 SDRAM工作原理- SDR DRAM结构 ELPIDA 128M SDRAM (μP Synchronous Dynamic Random Access Memory SDRAM工作原理- 存储阵列 ELPIDA 128M SDRAM (μP SDRAM工作原理- 存储单元-1 a) open; b) shorts; c) bridge SDRAM工作原理- 存储单元-2 EDE5108AGBG 尺寸11mmx11.5mm =126.5x10^(-6)m^2 ELPIDA G DIE采用90nm工艺, 则单个存储单元面积为:8x(90x10^(-9)m)^2=64800x10^(-18)m^2 则512M个单元的面积为: 512x10^6x 64800x10^(-18)m^2= 33.2x10^(-6)m^2 缩小尺寸: BGA- CSP SDRAM工作原理- 检测放大器 VREF 放大 触发(交叉耦合正反馈) 刷新 EQ:保证初始平衡 差分结构减少字线分布电容对位线的串扰(BL与BL#平衡) SDRAM工作原理- TRCD TRAS TRP TWR 写入 读恢复(刷新) 检测-触发(放大) SDRAM工作原理- 地址译码-1 ● Wafer Test Flow Pre Laser Wafer Test Search for Defect Cells Judgement of ( PT1 @Hynix ) repairable or not Hot Temp(87℃), All wafer test Laser Repair Defect Cells Replace with Healthy Spare Line by Fuse Cut Post Laser Wafer Test Testing to pass or fail after laser repair step ( PT2 @Hynix )