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第*页 2011年10月9日星期日 三、晶向 同一个格子可以形成方向不同的晶列，每一个晶列定义了一个方向，该方向称为晶向； 晶向指数标记：沿某一晶向，从一个原子到最近的原子位移矢量为 则该晶向就用l1、l2、l3标志，写成[l1l2l3]，称为晶向指数。 第*页 2011年10月9日星期日 以简立方晶格为例， [100] : OA 立方边 [111] : OC 体对角线 [110] : OB 面对角线 第*页 2011年10月9日星期日 等效晶向 由于晶格的对称性，晶体在一些方向上的性质完全相同，统称这些晶向为等效晶向。 立方边共有6个不同的晶向，写成〈100〉； 面对角线共有12个，写成110； 体对角线共有8个，写成111； 第*页 2011年10月9日星期日 四、晶面 晶格的格点可以看成分列在平行等距的平面系上，这样的平面称为晶面， 第*页 2011年10月9日星期日 晶面指数 晶面的标志即晶面指数,也称谓密勒指数。 密勒指数的确定：晶格中选一格点为原点，并以3个基矢a1,a2,a3 为坐标轴建立坐标系。该晶面族中任一晶面与3个坐标轴交点的位矢分别为ra1,sa2,ta3，则它们的倒数连比可化为互质的整数，即 其中h、k、l为互质的整数，晶体学中以（hkl）来标志该晶面，称为密勒指数。 第*页 2011年10月9日星期日 图中示出了简立方中某3个晶面的密勒指数： ◆侧面： （100） ◆对角面：（110） ◆顶对角面：（111） 第*页 2011年10月9日星期日 等效晶面 由于晶格的对称性，晶体在一些晶面的性质完全相同，统称等效晶面 立方晶体中的立方体共有6个不同的侧面，写成{100}; 对角面共有12个，统称这些对角面时，写成{110}; 顶对角面共有8个，统称这些顶对角面时，写{111}； 第*页 2011年10月9日星期日 第*页 2011年10月9日星期日 第*页 2011年10月9日星期日 第*页 2011年10月9日星期日 电阻率介于10-3-106Ω.cm，可变化区间大，介于金属（10－6Ω.cm）和绝缘体（1012Ω.cm）之间 不同掺杂类型的半导体做成pn结后，或是金属与半导体接触后，电流与电压呈非线性关系，可以有整流效应 具有光敏性，用适当波长的光照射后，材料的电阻率会变化，即产生所谓光电导 半导体中存在着电子与空穴两种载流子 纯净半导体电阻率为负温度系数， 掺杂半导体在一定温度区域出现正温度系数 §1.1 半导体的基本性质 一、 第*页 元素半导体 元素周期表中从金属到非金属的过渡区元素构成的半导体。 Si、Ge是常用的半导体材料，用于VLSI，大多数半导体器件。 化合物半导体 某些Ⅲ－Ⅴ族化合物（AIIIBV）和Ⅱ－Ⅵ族化合物 （AIIBVI）具有半导体性质， Ⅲ－Ⅴ ：AL，Ga，In —— P，As，Sb（碲） Ⅱ－Ⅵ：Zn，Cd，Hg —— S，Se，Te 常用的有：GaAs ，GaP ，InP，InAs，InSb，PbS, GaN 用于高速器件，高速集成电路，发光，激光，红外探测等。 二、常见的半导体材料 第*页 常见的半导体材料 第*页 构成半导体材料的主要元素及其在元素周期表中的位置 第*页 混合晶体构成的半导体材料 ◆两种Ⅲ-Ⅴ族化合物按一比例组成: xAⅢCⅤ+(1-x)BⅢCⅤ ◆两种Ⅱ-Ⅵ族化合物按一比例组成: xAⅡCⅥ+(1-x)BⅡCⅥ 由于可能通过选取不同比例的x，而改变混晶的物理参数(禁带宽度， 折射率等)，这样人们可以根据光学或电学的需要来调节配比x。 主要用在异质结，超晶格和远红外探测器。 第*页 §1.2 半导体的晶格结构 一、常见半导体的结构类型与共价四面体 六种常见结构类型 ◆金刚石结构Si、Ge ◆闪锌矿结构GaAs、InP、InAs、InSb、AlP、AlSb、CdTe、 GaP ◆纤锌矿结构GaN、AlN ◆氯化钠结构PbS、PbSe ◆硫化汞结构HgS ◆石墨结构 第*页 ◆金刚石结构 第*页 第*页 第*页 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第*