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忆阻器Simulink建模和图形用户界面设计
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第 卷第 期 西 南 大 学 学报 自然科学版 年 月
33 9 2011 9
( )
Vol.33 No.9 JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Se. 2011
y p
文章编号: ( )
1673 9868201109 0050 07
忆阻器Simulink建模和图形用户界面设计①
胡柏林, 王丽丹, 黄艺文,
胡小方, 张宇阳, 段书凯
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西南大学 物理科学与技术学院 电子信息工程学院 重庆 400715
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摘要 研究了惠普忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型 构建了忆阻器的Simulink模型 给出了相应的仿真结果.
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设计了一种基于 的图形用户界面 能直观地展示忆阻器特性 通过该界面 可以选择或设定输入电压的
MATLAB .
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类型 参数及忆阻器模型的参数 简单方便地观察对应的输出结果 为人们更直观地学习和研究忆阻器提供一种有
效的方法.
: ; , ; ;
关 键 词 忆阻器 电荷 磁通量 模型 图形用户界面
Simulink
中图分类号:TM132 文献标志码:A
, , 、
年 蔡少棠教授根据电路理论的完备性 预言应该存在电阻 电容和电感之外的第 个基本
1971 4
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1-2
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电路元件 并将其命名为忆阻器 年 月 首个纳米级的忆阻器物理模型在美国惠普实验室
.2008 5
[]
3
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里诞生 证实了忆阻器的存在 .实验表明 忆阻器是一种无源的非线性的二端电路元件 具有天然
, ( ) ,
的记忆能力 通过控制电流 或电压 可改变其阻值 这种记忆功能 为制造更快更节能的即
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