用于OL ED 的a2Si TFT 有源驱动阵列保护电路的分析.PDFVIP

第 19 卷　第 4 期 　液 　晶 　与 　显 　示 Vol. 19 ,No. 4 　　　　 　　 　　 　Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 　　　　 　 　　 2004 年 8 月　　 　Aug. ,2004 文章编号 (2004) 用于 OL ED 的aSi TF T 有源驱动阵列保护电路的分析 1 ,2 1 2 1 1 1 张　彤 ,王丽杰 ,许　武 ,郭小军 ,赵　毅 ,刘式墉 ( 1. 吉林大学 集成光电子国家重点实验室 ,吉林 长春　130023 ,Email : zhangtong @mail.jlu. edu. cn ; 2. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春　130033) 摘　要 :在模拟与仿真的基础上 ,根据 MOS 器件的源漏击穿特性 ,分析了用于 aSi TFT 有源 驱动阵列的外围保护电路的工作原理 ; 同时根据所采用的有源 OL ED 单元像素驱动电路的特 点 ,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于 OL ED 的有 源驱动 TFT 阵列。 关 键 词 :OL ED ;aSi TFT ;有源驱动 ;穿通效应 ;布图设计 ;仿真模拟 中图分类号: TN27 ; TN44 　　　文献标识码 :A 与驱动阵列工艺上一致性 ,我们选择了源漏击穿 1 　引　　言 保护的形式 ,利用 aSi (amorphous silicon 非晶硅) TFT 的击穿特性 ,设计保护电路。 ( OL ED organic electrical emitting device ,有机 ) 电致发光器件 有源驱动阵列在每个单元像素内 都集成有两个或多个薄膜晶体管[1 ,2 ] , 以驱动发 光点阵 ,从而能在整个帧周期内为像素提供持续 的工作信号。有源驱动克服了无源驱动方式中使 用占空比小的脉冲信号驱动带来的问题[3 ] ,有利 于实现 OL ED 大面积、高分辨率显示。在 OL ED 的aSi TFT 有源驱动电路的设计过程中 ,我们采 用了在每个单元像素中包含有 2 个 TFT ( thin 图 1 　单元像素的驱动电路 film transistor 薄 膜 晶 体 管) 的 驱 动 电 路 形 式[4～6 ] ,如图 1 所示。由于外界信号的异常变化 , 　　Fig. 1 　2TFT pixel circuit (source follower configuration) ( ) ( ) 扫描线 scanning line 、数据线 data line 和电源 ( ) 线上 source line 时常会带来突发的高电压 , 同时 在 TFT 阵列和 OL ED 制作过程中 , 因为一些操 2 　模拟与分析 作中的摩