半导体微腔中腔模、重空穴激子模与轻空穴激子模耦合！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’! , ## , ， ， ， U=J (’! T= (, B/V9/:2/ ## （ ） !###A%,#N##N’! #, N#’A#’ O@PO HQRBS@O BSTS@O !## @508 ( H5?1 ( B=4 ( ############################################################### 半导体微腔中腔模、重空穴激子模和 轻空穴激子模耦合! !） !） ） 刘文楷 林世鸣 张存善 !）（中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京 !###$% ） ）（河北工业大学电气信息学院，天津 %##!%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##! !# ! ##! ! ’ 采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型，计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时，在不 同入射角度下的反射谱，同时，利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下，腔模同时和重空穴激子模、轻 空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量，以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元 中所占的权重，结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象，同时， 腔模和重空穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势( 关键词：半导体微腔，腔极化激元，激子 ： ， ， !## )’# *%)#+ *$)* 为实现和观测半导体微腔中的拉比分裂，广大 科研工作者采用了不同的方法， 年 等人 !- 引 言 !,,’ E015/ ［］ $ 利用改变温度来调节激子的跃迁能量 ，从而使光 半导体微腔内量子阱中激子的特性不同于单纯 子模和激子模共振， 等人利用外加磁场来增 F/G/ ［，］ ! 的量 子 阱 中激 子 的特 性 ，自从 !,, 年 加激子的振子强度使腔模和激子模耦合增加来改变 ［］ ［］ ./012345 % 等人通过反射谱的测量，首次在半导体