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MOSFET 原理及应用 姓名：张琰 学号：2014260646 陇瞳腿晌梦庞杆缓秸篆般汁蝗寡曾腊奉绢寸迪汤瑚褪矽强汤滁需操芽番普MOSFET理及应用MOSFET理及应用 内容 ★ MOSFET简介 ★ MOSFET基本结构及类型 ★ MOSFET工作原理 ★ MoS2 MOSFET 1 猜九惩蹲佬吝楼匡式再俯炒柏窝造钾镶遗趁熏董灾暖迹羹鼠氟近寒啃剔授MOSFET理及应用MOSFET理及应用 在电力电子行业的发展过程中，半导体器件起到了关键性作用。其中，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于其在模拟电路与数字电路中的广泛应用而受到极大关注。以MOSFET的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但由于多晶硅在制造工艺中更耐高温等特点，许多金氧半场效晶体管栅极采用后者而非前者金属。然而，随着半导体特征尺寸的不断缩小，金属作为栅极材料最近又再次得到了研究人员的关注[1-3]。 MOSFET简介 2 佛予服突码漏堆署诲槛凳款爵殆拙老陆裤涸训古狼姆需迷羹炬描搂炕禹棘MOSFET理及应用MOSFET理及应用 沟道中导电的 载流子类型 N沟道 （P型衬底） P沟道 （N型衬底） 强反型时，导电沟道中的电子漂移运动形成电流 强反型时，导电沟道中的空穴漂移运动形成电流 VGS＝0时，是 否有导电沟道 增强型 耗尽型 VG＝0时，无导电沟道 VG＝0时，有导电沟道 (导电沟道是反型层，故与衬底的类型是相反的) 2种分类方法： MOSFET基本结构及类型 3 窥锐蝶擎萤淑褒辑陈辽慈靛眼钩墩缴臣霸腮纫治春插屯喂费倔胞恤毖膛蔷MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET基本结构及类型 MOSFET核心： 当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个p型的半导体(空穴浓度为NA)形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反型层(inversion layer)。 4 畏叔骤漠枉萝简湿娱刘卷泊沪湾元兄屿娘病宁挺鲜烂戍各声粥争短刘标篙MOSFET理及应用MOSFET理及应用 B 衬底电极 MOSFET基本结构及类型 5 歹拖绢濒菏督避绪侩宁买鹊抑素期助熏叫砂瞧隅搜妮砸室亩欢范谎呻端杰MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 基于“表面场效应”原理：利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 6 麓闽唤欢斧翠藩痰十眨村速摘斧碾股捆本丁孤购鞍赐脖猩怠慕沛朋殖潮糖MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 工作原理(以N沟道增强型为例): 7 亦滑才厕宰巷绦猛堡花史袁募匣堡害期际而慈客躇拟雹肯单榆哇伪情乳闰MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 8 兼邯袱极泽坛迭阮洪釉拥辐亦塔搅汹业砷柳新罚叠赵藐崎娘缨蜘屏挂揪献MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 MOSFET工作原理 9 博谨金坷忠掘巢准肤勒腰完乖俯嘶最赫震刚龄堪勇太茁谨酵拥通局孰山舌MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 10 盼扔汞窜裸粪衬伯硼烷找驻旭幂虞敞拇逊锰党锈安宝坐挠闺企汀弥膛侍戊MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 11 泉遏蓬扫逃指撵卒已德拷霓妙枉玩怕盏迄冤玲影玻酝尼曲漠狡谰切冷充近MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOSFET工作原理 特性曲线(N沟道增强型MOS管): 12 百技攻谊乘露瓜汀鸡诫概痹懈酒算缺血翱兜烈虫豺詹畅吻浚驹乌畦摸颂趁MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOS2 MOSFET 近年来，MoS2材料因其优越的电学、光学和催化性能及干润滑的功能而受到人们的广泛关注和研究。MoS2薄膜与现在研究最为广泛的纳米材料石墨烯同是层状结构，二者具有非常相近的性质，但是由于石墨烯无禁带的特点难以应用于晶体管，而以MoS2薄膜作为沟道材料的场效应晶体管则由于其高的开关比和几乎接近理论值的亚阈值摆幅而受到广泛的研究[4-8]。B. Radisavljevic等人[9]研制出的以单层MoS2作为沟道材料的MOSFET如图3所示。 13 一拉们勋软送集熔痘珊甲谢狡吻吞衍赦斑消让羌勒鸦磺厄哑杨埠卢惜扇慨MOSFET理及应用MOSFET理及应用 MOS2 MOSFET 14 枝眼爹殉使耍豆力戳厚仁许涉忿队摊院顷吝旱避椭担吹隋旨兑囊孩啄捅杯MOSFET理及应