掺杂浓度对AZO薄膜光电性能的影响及其在硅基薄膜太阳电池中的应用.pdfVIP

第37卷第7期 太阳能学报 V01．37，No．7 2016年7月 ACTAENERGIAESOIARISSINICA Jul．，2016 文章编号：0254．0096(2016)07．1726．06 掺杂浓度对AZO薄膜光电性能的影响及其在 硅基薄膜太阳电池中的应用 代玲玲， 陈光羽，何延如，谷士斌，张 林，赵冠超，杨 孟原，李立伟，郭 铁 (新奥光伏能源有限公司；煤基低碳能源国家重点实验室，廊坊065001) 硅基薄膜太阳电池。与业界普遍采用的1％wt．AZO薄膜相比，适度重掺杂(2％wt．)的AZO薄膜由于带隙拓宽可以 取得更优的透过率，同时电阻率的优化在更低衬底温度下取得，因此，2％wt．AZO薄膜电池不仅可实现AZO薄膜的 低温沉积，而且电池具有较高的转换效率。 关键词：AZO薄膜；磁控溅射；掺杂浓度；硅基薄膜电池 中图分类号：TK514 文献标识码：A 备的薄膜成分均一、稳定，成本适中，已用于大规模 0 引 言 商业化生产。 透明导电氧化物薄膜(TCO)在可见光区有较高 本文采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备AZO 的光透射率，并具有优良的导电性能，广泛应用于 薄膜，系统研究掺杂浓度与衬底温度对薄膜光电性 液晶显示、太阳电池…等领域。In：O，、SnO：和ZnO 是重要的TCO材料。其中铟、锡资源短缺、原材料 (2％wt．)的AZO薄膜为前电极应用于双结硅基薄 ZnOthin 膜太阳电池，并对电池性能进行研究与分析，获得 价格昂贵；A1掺杂ZnO薄膜(A1．doped films，AZO)具有光电性能好心1、氢等离子体中化学掺杂浓度对AZO薄膜及电池性能的影响趋势，课题 稳定性好、材料丰富、成本低廉等优点，近年来得到 结论具有一定的应用价值。 了广泛的研究。 1 实验 适度掺杂能较大幅度提高ZnO薄膜的电学性 能，这是ZnO薄膜实用化最为重要的课题。ZnO禁 在氩气气氛下，采用直流磁控溅射法(direct 带宽度为3．3～4．0eV，其大小主要决定于半导体材 current magnetron 140mmX140mmX3．2 料的原子组成及成键状态，但也受到杂质或缺陷的 mm的超白玻璃衬底上溅射沉 影响。材料中的缺陷和外部的掺杂可改变载流子浓 积AZO薄膜。本实验中研究的掺杂浓度有0．8、 度，进而影响材料的禁带宽度b】。未掺杂ZnO薄膜因 1．6、3．1、4．7％at．。 表面对氧的吸附而引入表面电荷，造成电学性质不 湿法刻蚀样品表面，使AZO薄膜具有绒面结构 稳定，掺杂同时解决了ZnO薄膜电学稳定性问题。 以起到陷光作用，并以此为前电极，采用等离子体 ZnO薄膜的制备方法较多，如磁控溅射法¨1、脉 enhancedchemical 增强化学气相沉积(plasma vapor 冲激光沉积法b。、喷涂热分解法哺3及溶胶凝胶法n1 等。其中，磁控溅射法较为成熟，工艺容易控制，制 太阳电池。顶电池和底电池制备完成后，直流磁控 收稿日期：2014．06—12 基金项目：新型太阳能电池用透明导电玻璃材料及工艺的联合研发(2010DFB60120) 通信作者：郭铁(1959一)，男，博士、教授，主要从事太阳电池及集成应用技术方面的研究。guotie@enn．cn 7期