第2章半导体二极管及其应用.docVIP

第2章 半导体二极管及其应用 本章首先介绍半导体导电机理、PN结的形成和特点，在此基础上介绍半导体二极管的结构、伏安特性及参数。重点二极管的特点及应用，为合理选择和使用管子打下基础。 2.1 半导体基础与PN结 2.1.1 半导体及其特性 自然界中的物质根据导电能力的不同，可分为导体、绝缘体和半导体。一般金属电阻率为10-9～10-6Ω·cm，绝缘体的电阻率为1010～1020Ω·cm，半导体的电阻率为 10-3～109Ω·cm。由于半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，故称为半导体，典型的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）、砷化镓（GaAs）及许多金属氧化物和金属硫化物等。由半导体材料构成的半导体器件，其应用非常广泛，从小小的收音机到电子计算机等都离不开半导体材料。 通常情况下纯净半导体的导电能力很差，但如果外界条件改变，其导电能力会大大增强,因为半导体具有以下特性： （1）热敏特性：当半导体受热时，电阻率会发生变化，利用这个特性制成热敏电阻。热敏电阻可分为正温度系数（Positive Temperature Coefficient，PTC）和负温度系数（Negative Temperature Coefficient，NTC）两种，如MF58属于负温度系数的热敏电阻，即其电阻率随着温度的升高而降低。 （2）光敏特性：当半导体受到光照时，电阻率会发生改变，利用这个特性制成光敏器件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。光敏电阻随着光的照射，其电阻值下降；在光照条件下光敏二极管和光敏三极管的反向电流增加。 （3）杂敏特性：当在纯净的半导体中掺入微量的其它杂质元素(如磷、硼等)时，其导电能力会显著增加，利用这个特性制成半导体器件，如半导体二极管、半导体三极管、场效应管、晶闸管等等。通常将纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。而掺入杂质元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体又分为P型半导体和N型半导体。首先介绍本征半导体。 2.1.2 本征半导体 具有晶体结构的纯净半导体称为本征半导体。晶体通常具有规则的几何形状，在空间中按点阵（晶格）排列。最常用的半导体材料为硅（Si）和锗（Se），在制作半导体器件时，硅和锗都要经过提纯并形成晶体结构，故半导体二极管和三极管通常称为晶体二极管和晶体三极管。图2-1为硅和锗的原子结构示意图。从图中可以看出它们每一个原子核外都有四个价电子。在硅或锗的本征半导体中，由于原子排列的整齐和紧密，原来属于某个原子的价电子，可以和相邻原子所共有，形成共价键结构。图2-2所示为硅和锗共价键的(平面)示意图。实际上半导体晶体结构是三维正四面体结构。 在绝对零度和未获得外加能量时，处于共价键中的价电子由于受原子核的束缚，仅在共价键内振动，这时的本征半导体不具备导电能力。但由于共价键中的电子为原子核最外层电子，在温度升高或者外界供给能量下最外层电子容易获得能量挣脱共价键的束缚成为自由电子，这种现象称为激发，如图2-3所示。共价键失去电子后留下的空位称为空穴，显然具有空穴的原子带正电。激发时电子和空穴成对出现。 若有外加电场的作用，有空穴的原子吸引相邻原子的价电子填补这个空位，出现新的空穴，空穴形成空穴电流，与自由电子的运动相反，如图2-4所示。 将参与导电的粒子称为载流子。故在半导体中有两种载流子：空穴和自由电子。那么当外加电压时，半导体中会出现两种电流：一是挣脱共价键束缚的自由电子的定向运动形成电子型电流，二是共价键中的价电子填补空穴形成的空穴型电流。空穴参与导电是半导体导电的特点，也是与导体导电最根本的区别。 当然自由电子在电场作用下运动时，也会填补空穴，这种现象成为复合。在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合，故在一定温度下，载流子的热激发和复合达到动态平衡，载流子的数目维持在一定的数目。如果温度升高，则载流子的数目也会越多，由此可见，温度对半导体组件导电性能是有很大影响的。 2.1.3 N型半导体和P型半导体 一般情况下本征半导体中本征激发的载流子数目很少，导电能力很差。为了提高其导电能力，增加载流子的数目，在本征半导体中掺微量的其它元素（掺杂），形成杂质半导体。若掺入微量的5价元素（如磷、砷、锑等），可大大提高自由电子浓度，这种杂质半导体称为N型半导体；若掺入微量的3价元素（如硼），则可增空穴数目，这种杂质半导体称为P型半导体。 1．N型半导体 如果在硅或锗的本征半导体中掺入微量的5价元素（如磷），则由于5价磷原子数量少，被硅或锗的原子包围，磷原子代替个硅或锗的原子的位子，如图2-5所示，这不会改变本征半导体的晶体结构。由于5价磷原子核外有5个价电子，其中4个价电子和相邻的4个硅或锗原子的价电子形成共价键结构，而剩下的一个未形成共价键的价电子，很容