BSFIPTz陶瓷的制备与性能研究.pdfVIP

第30卷增l 压电与声光 Suppl．No．1 2008年6月 PIEZOELECTECTRICS＆ACOUSTOOPTICSJun．2008 文章编号：l004—2474(2008)Sl一0196—03 BSFIPTx陶瓷的制备及性能研究 覃宝全，梁金娥，江一杭，裴 颖，姜昱志，肖定全，朱建国 (四川大学材料科学与工程学院，四川成都610064) 压电陶瓷。通过XRD显示．在1100℃烧结温度下．都能得到具有单一钙钛矿结构的陶瓷样品。同时经过对样品 的介电、压电性能的研究，发现在BF=0．02时．其室温压电常数d”可以达到473pC／N，k，=0．556，居里温度也有 431℃。随着BF的增加。陶瓷样品的压电性能急剧降低．但是其居里温度是显著增加的。研究表明，BS-BI-BF-P1r 陶瓷具有优良电学性能的压电陶瓷材料． 关键词：BSFIPTx；钙铁矿结构；压电陶瓷 中国分类号：TN384 文献标识码：A and of Preparation