利用片上超材料构建单芯片太赫兹双频吸波器-北京邮电大学学报.PDF

2015年6月 北 京 邮 电 大 学 学 报 Jun.2015 第38卷 第3期 Journal of Beijing University of Posts and Telecommunications Vol.38 No.3 摇 摇 文章编号:1007鄄5321(2015)03鄄0126鄄04 DOI:10.13190/ j.jbupt.2015.03.022 利用片上超材料构建单芯片太赫兹双频吸波器 1,2 1 2 杨曙辉 ,摇 康摇 劲 ,摇 陈迎潮 (1.北京信息科技大学 信息与通信工程学院,北京 100101;2.南卡罗来纳大学 电气工程系,哥伦比亚,美国SC29208) 摘要:利用65nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种新的单芯片超材料结构太赫兹吸波器,面积约 为0郾60mm伊0郾65mm,包含75个吸波单元. 吸波单元图案采用CMOS工艺中顶层铜金属,厚度为3郾2 滋m,设计为 正八边形和正方形开口谐振环的组合结构;介质层由无掺杂硅玻璃、碳化硅、氮化硅等组成,厚度为9郾02 滋m;介质 层背面短线采用CMOS工艺中的第一层金属,厚度为0郾2 滋m. 仿真结果表明,该吸波器在0郾921THz、1郾181THz 2 个频率处达到最大吸收率,分别为 97郾84%和 95郾76%. 克服了采用砷化镓、薄膜工艺实现的太赫兹吸波器与 CMOS工艺兼容问题,有利于在大规模集成电路中实现. 关摇 键摇 词:超材料;开口谐振环;太赫兹吸波器;等效电路;吸收率 中图分类号:TN81摇 摇 摇 摇 文献标志码:A Fabricationona Single Chip Terahertz Dual鄄Band Absorber by Usingon鄄Chip Metamaterial Structure 1,2 2 2 YANG Shu鄄hui ,摇 KANGJin ,摇 CHEN Ying鄄chao (1.School of Telecommunication Engineering,Beijing Information Scienceand Technology University,Beijing 100101,China; 2.Department of Electrical Engineering,University of South Carolina,Columbia SC29208,USA) Abstract:A single鄄chip metamaterial absorber in terahertz band is proposed,which is based on 65 nm complementary metal鄄oxide semiconductor (CMOS)process. Thechip areaisapproximately0郾60mmby 0郾65 mm andtotallycontains75 absorbingcells. Theperiodiccelloftheabsorberismadeofoctagon鄄spl鄄 itand square鄄split ring resonators,which are designed by employing a3郾2 滋m copper on the top layer in the CMOS technology. The dielectric spacer consists of un鄄doped silicate glass,silicon