電晶體特性-DepartmentofPhysics,NTHU.PDFVIP

電晶體特性 一 、目的 ： 描繪電晶體的特性曲線 ，藉此熟悉電晶體的特性 。 二 、原理 ： (一電) 晶體 ： 前面說過把正型半導體和負型半導體做成正負接合面就 形成一個有整流作用的二極體 。圖( 1 ( a ) ) 。現在若再 接上另一塊半導體就變成有兩個正負接面的三極體 ，也 就是平常所稱的電晶體了 。 兩塊正型半導體和一塊負型半導體形成的電晶體稱 為 p-n-p型電晶體 圖( l ( b ) ) ，兩塊負型半導體和一塊正型 圖 1 (a)二極體 (b)p-n-p型電晶體 半導體形成的電晶體稱為 n-p-p型電晶體 圖( l (c)) 。電晶體 (c)n-p-n型電晶體 。 有很多種製造方式 ，但絕不是把三塊半導體接在一起做成 的 ，上面的說法只是取其觀念上較易接受而已 。 三塊半導體中 ，中間的一塊稱為 「基極 」(Base ，以 B 表示) 兩旁兩塊中發射載子的稱為 「射極 」 ( Emitter ， 以E 表示) ，收集載子的稱為 「集極」 (Collector ，以C 表示) 。在正常工作狀況下 ，p-n-p 型電晶體發射和收集 的載子主要是正型的電洞 ，n-p-n型則是負型的電子 。 圖 2是電晶體的符號 ，中間為基極 ，兩邊為射極和 集極 ，其中有箭頭的為射極 ，無箭頭的為集極 。箭頭的方 圖 2 向指示電流的方向 ，p-n-p 型電晶體射極發射的是電洞 ，電 洞流方向和電流方向相同 ，故箭頭方向為進入電晶體 。 n-p-n 型電晶體射極發射的是電子 ，電子流的方向和電 流方向相反 ，故箭頭的方向為離開電晶體 。 若用電表去量電 阻 ，電晶體相當 於兩個二極體 「頭 碰頭 」或 「背靠背 」串聯起來 (參看圖 3) 。EB 之間是一 個二極體 ， BC 之間也是一個二極體 。從導通的方向可 以決定三個接腳中何者接正型何者接負型 ，因此很容易 分辨出p-n-p和 n-p-n電晶體 。CE 之間兩個方向的電阻 都很大 ，從這點 ，很容易找出 C和 E極 ，剩下的一個就 圖 3 是 B極 。不過還無法確定何者為 E ，何者為 C ，此點待 以後說明 。 圖 4 表示三種外型的電晶體 ，接腳有一定位置 ，但 其它外型的電晶體接腳的位置頗不一定 ，要慎防弄錯 。 (二電) 晶體的放大作用 ： 為了方便起見 ，我們以 n-p-n型電晶體為例 。先看未加 偏壓時的情形 。三塊半導體的電子電洞會越過接面而互 相中和 ，直到空乏區的電場大到足以阻止電荷的流通 。 此時三塊半導體之間達到平街 ，它們的化學勢相同 ，因 此B極的位能較高 ，成為 E極的電子的位能障礙 (參看 圖 5) 。 圖 4 E極和 B極之間相當於一個二極體 ，由前面的實驗 知道 ， 只要在其間加一個很小的順向偏壓就有很多電子 ，其能 量足以克服這個位能障礙而進入 B極 。通常 B極做成極 薄的一層 ，電子在裡面的時間很短 ，因此 ，跟電洞中和 掉的比例很少 。它們絕大多數被 B極和 C極接面及附近 的電場吸引進入 C極 。B極和 C極間的偏壓通常跟電流 大小的關係很小 ，除非被順向偏壓 ，以致降低收集的效 率 。在圖 6中 ，我們把電子流畫出來 ，更容易看出上面 所說的現象 。由 E極射出的電子流進入 B極後 ，只有小 圖 5 部分為電