中国科学院微电子研究所博士研究生入学考试 - 英语四级.PDF

中国科学院微电子研究所博士研究生入学考试 《半导体物理》考试大纲 一、考试科目基本要求及适用范围 本考试大纲适用于中国科学院微电子研究所“微电子学与固体电子学”和“电子与信息” 领域的博士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课 程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布； 载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面 ─包括p-n 结、金属半导体接触、半导体表面及MIS 结构、异质结；半导体的光、热、磁、 压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌 握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 二、考试形式和试卷结构 考试采取闭卷笔试形式，考试时间180 分钟，总分100 分。试卷结构为：基础概念题占 60 ％，共10 道题；综合运算题占40 ％，共3 道题。 三、考试内容 （一）半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和 有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III －V 族 化合物半导体的能带结构，II －VI 族化合物半导体的能带结构。 （二）半导体中杂质和缺陷能级： 硅、锗晶体中的杂质能级，III －V 族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级。 （三）半导体中载流子的统计分布 状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的 载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体。 （四）半导体的导电性 载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻 率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效 应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应。 （五）非平衡载流子 1/5 非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效 应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式。 （六）p-n 结 p-n 结及其能带图，p-n 结电流电压特性，p-n 结电容，p-n 结击穿，p-n 结隧道效应。 （七）金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接 触。 （八）半导体表面与MIS 结构 表面态，表面电场效应，MIS 结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表 面电导及迁移率，表面电场对p －n 结特性的影响。 （九）异质结 异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，了解异质结量 子阱结构及其电子能态，半导体超晶格。 （十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半 导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻 尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效 应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声 波和载流子的相互作用。 四、考试要求 （一）半导体的晶格结构和电子状态 1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。 2 ．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。 3 ．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。 4 ．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。 5 ．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导，并能灵活运用。 6 ．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。 7 ．了解III －V 族化合物半导体的能带结构。 8．了解II －VI 族化合物半导体的能带结构。 （二）半导体中杂质和缺陷能级 2/5 1．理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。 2 ．简单计算浅能级杂质电离能。 3 ．了解杂质的补偿作用、深能