互连中的空气间隙 - 半导体科技.PDFVIP

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2017-06-15 发布于天津
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互连中的空气间隙 - 半导体科技

Semiconductor Manufacturing IC RCICk[1] Si-FSi-CH Si-OSiO kk 3 2 kk45%-50% , Resistance (Ohm/m) 40 Cu SiO Cu Cu k 30 2 Air-gaps 20 nm Air-gaps 20 Cu 10 -50% 0 [3] 10-18 Capacitance (F/m) 1. 35nmSiO2 RC TEM Cu , [4] Leakage current (A) Cu/ 10-7 nano-indentatio SiO 2 nano-scratch Air-gaps 10-8 [5] 10-9