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光催化材料NiO-TiO 2 /SiO 2的结构与性能研究 - 分子催化
第21卷 第6期 分 子 催 化 Vol.21,No.6
2007年12月 JOURNALOFMOLECULARCATALYSIS(CHINA) Dec. 2007
文章编号:10013555(2007)06054505
光催化材料NiOTiO/SiO 的结构与性能研究
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柳 荫,孔令丽,钟顺和1)
(天津大学 化工学院天津300072)
摘 要:采用表面改性法制备了负载型NiOTiO/SiO复合半导体材料,用X射线衍射、比表面测定、透射电镜、
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红外光谱、拉曼光谱、紫外可见漫反射等技术,研究了光催化材料的物相结构、微粒尺寸、光响应性能及其能带
结构.结果表明:复合半导体材料具有较高的比表面积,NiO和TiO在材料表面产生相互修饰作用,NiO的加入
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促进了TiO在载体表面的分散程度,两者复合后部分地形成了NiOTi键联.复合后的NiOTiO/SiO增强了对紫
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外光的吸收性能,而且NiO与TiO间的np复合效应改变了原来TiO单一的能带结构,有效的抑制了光生电子和
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空穴的复合,从而明显提高材料的光催化性能.
关 键 词:表面改性法;复合半导体;光催化材料;吸光性质;能带结构
中图分类号:O643.3 文献标识码:A
半导体多相光催化是近20年来发展起来的新 2
(比表面积为350m/g,0.15mm,饱和吸水量为
兴研究领域,科学家们对此进行了大量的研究,许 1.5mL/g)加入异丙醇钛的异丙醇溶液.再经表面
多禁带大于2.5eV的半导体材料成为研究的热点. 反应、干燥、煅烧制得白色复合载体 TiO/SiO,其
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其中,TiO以其无毒、催化活性高、稳定性好等优点
2 中TiO的含量为9.6%.将一定量的硝酸镍溶液,
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[1]
而备受关注 .但是单一半导体在反应中存在易发 等体积浸渍于制备好的TiO/SiO载体表面,充分
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生光腐蚀、光子利用率低以及氧化还原电势无法调 振荡后,经老化、干燥,最后在500℃下煅烧得到
变等缺陷,使其应用受到限制.近年来的研究表 NiOTiO/SiO,NiO的含量为2%.
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明,两种半导体复合可以通过改变材料的能级结构 1.2固体材料的表征方法
来影响光生载流子的分离效果,具有较好的应用前 BET比表面用意大利 ThermoFinnaga公司的
景 [2] [3]
.复合半导体TiOFeO 、TiOMoO 、TiO
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