双极电晶体基本应用电路.PDF

應用電子學實驗講義(I) 雙極電晶體基本應用電路 實驗目的 了解不同的雙極電晶體(bipolar junction transistor ， BJT)放大電路之特性。 實驗儀器 電晶體 2N3904 一枚；電阻數枚；電容數枚；示波器、訊號產生器及直流電源供應器。 預習問題 1. 做實驗程序一 電路的 PSPICE 模擬。 2.做實驗程序 三 電路的 PSPICE 模擬。 ※記得用偏壓點分析以決定是否位於順向活性區。 相關知識 1. 雙極電晶體之放大電路； 2. 電晶體之飽和區與截止區； 一個npn雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)BJT 偏壓調在順向活 性區(forward active)時，VBE 差不多維持在0.7V 左右，變化不大，而且這時的IC是I B 的 β倍。我們還要注意，VCE 必須大於0.2V。BJT 在順向活性區的簡單電路模型總結如下圖： 圖7.1 簡易小訊號模型如下：分為VCCS 和CCCS 模型 圖7.2 一、共射極放大器(Common-Emitter Amplifier) 下面我們利用這個簡單的BJT 模型瞭解右圖電路的操作： - 1 - 應用電子學實驗講義(I) 1. 靜態偏壓分析 這是一個標準的four-resister bias circuit，R 1 和R 2 將電晶體Q1 偏壓在順向活化區，基極的靜態 偏壓約為V B=VCC [R2/(R1+R2)]，這裡假設IB 很小，不 影響V B 之偏壓值。射極的偏壓VE 約為VB-0.7V，射 極的靜態電流I E=VE/RE ，集極電流IC=IE [β/(β +1)]≈IE (通常β1)。C1 為阻隔電容(blocking capacitor)，使Q1 基極偏壓不受輸入電壓Vin 的直 圖 7.3 流部份影響。 2. 功能分析 假如在V in 輸入交流訊號ΔV，而C1 對ΔV 可視為短路，因此ΔVB=ΔV，又射極的電壓會隨 VB 變化，ΔVE=ΔVB=ΔV，若輸出訊號由射極接出，則此電路為一射極隨耦器(emitter follower)，類似的電路在上個實驗已經測量過。 假如輸出是由集極接出呢？ 這裡我們看一下ΔV C 多大。ΔIC≈ΔIE=ΔVE/RE=ΔV/RE ，又 VC=VCC-ICRC ，ΔVC=-RC ΔIC ，故 ΔVC=ΔV×(-RC/RE )…eq.7.1 因此這個電路可視做一個放大器( 稱做共射極放大器， common-emitter amplifier)，放大 率AV=-RC/RE ，負號代表輸出訊號的相位和輸入差了180°。 二、射極接地放大器(Grounded-Emitter Amplifier) 假如上面放大器電路中R E=0，AV=-∞？不太可能吧？問 題出在推導eq.7.1 時，我們假設電晶體在forward active 時V BE固定在0.7V，不受I C(或IE)影響，即有ΔIC 但無ΔVBE 。 事實上，由Ebers-Moll模型可知 I I eVBE/V (在forward active 時)， C S IC VBE I eV I S C VBE V 我們再定義re ≣ΔVBE/ΔIC ，那麼 圖 7.4 r Ω …eq.7.2 IC A 現在來處理R E=0 的情形。由上電路圖可知ΔVBE=ΔVB=ΔV，ΔIC=ΔVBE/re ，ΔVC=-RC ΔIC=-RC Δ VBE/re=ΔV(-RC/re)，放大率AV=ΔVC/ΔV=-RC/re 。注意re