国立高雄科学技术学院进修补习学院八十七学年度招生 ... - kuas.edu.tw.DOC

九十四學年度高屏區進修學院五校聯合招生入學考試 准考證號碼 □ □ □ □ □ □　（考生必須填寫） 電子學與計算機概論　試題 共四頁 第一 1.本試題選擇題共45題，總共200分；第一大項25題，一題4分計100分；第二大項20題，一題5分計100分。 2.本試題均為單一選擇題，每題都有（A）、（B）、（C）、（D）四個選項，請選出一個最適當的答案，然後在答案卡上同一題號相對位置的方格範圍內，用2B鉛筆全部塗黑，答對者得題分，答錯者不倒扣，不答者該題以零分計。 3.本試題紙空白處或背面，可做草稿備用。 4.請先在試題首頁准考證號碼之方格內填上自己的准考證號碼，考完後將「答案卡」、「試題」一併繳回。 5.請核對考試科目與報考類別是否相符。 第一大項共25題，，下列有關p-n 接面二極體的敘述，何者有誤？(A) 逆向偏壓時空乏區的電容值變小 (B) 順向偏壓時沒有空乏區 (C) 逆向偏壓時空乏區電場強度的最大值出現在p 區域與n 區域的接面上 (D) 順向偏壓時電流與電壓呈指數關係。 下列邏輯電路族，功率消耗會隨著工作頻率增加而增加？(A) ECL (B) NMOS (C) TTL (D) CMOS。 在純質矽晶片中加入磷(phosphorus)，何者有誤？(A) 多數載子為電洞 (B) 導電率增加(C) 純質矽晶片成為外質(extrinsic) (D) 電子與電洞濃度乘積為定值。 下列有關BJT 與MOSFET 電路特性比較的敘述，何者正確？(A) 相似的電路組態，MOSFET 放大器有較低的輸入電阻(B) 相同偏壓電流下，BJT 放大器有較高的轉導 (C) 相似的電路組態，BJT 放大器有較差的高頻響應 (D) 作為電壓傳輸理想開關元件時，BJT比MOSFET的特性。 某增強型PMOSFET，臨界電壓為0.2 V，若直流汲極電壓VD=2V，直流源極電壓VS =5 V，直流閘極電壓VG =1.2 V，則處於？(A) 線性區 (B) 截止區 (C) 飽和區 (D) 逆向工作區。 下列有關回授應用的敘述，何者正確？ (A) 迴路增益的相角邊限小於零度代表電路穩定(B) 對於具單一極點的穩定放大器而言，加入電阻性負回授後電路仍維持穩定 (C) 主要極點補償之方法乃是將主要極點向更高頻移動(D) 串串負回授可降低輸入阻抗。 下列有關一般功率放大器最高功率轉換效率的比較，依序為：(A) B類 ≥ AB類 ≥ A類(B) A類 ≥ AB類 ≥ B類 (C) A類 ≥ B類 ≥ AB類 (D) AB類 ≥ A類 ≥ B類。 下列有關741 運算放大器的敘述，何者有誤？(A) 輸出端為AB 級功率放大器(B) 內部具有短路保護電路 (C) 輸入端為差動放大器組態(D) 放大級包含共基極與共射極組態的放大器。 下列有關一般雙極接面電晶體 (BJT) 的摻雜 (doping) 濃度大小的比較，依序為：(A) B C E(B) E C B (C) B E C (D) E B C。 下列有關BiCMOS特色的敘述，何者有誤？(A) 高輸入阻抗 (B) 雜訊邊際較小(C) 低消耗功率 (D) 電流驅動能力較強。 【背面尚有試題】 下列有關放大器電路頻率響應的敘述，何者正確？ (A) 共射極放大器的高頻響應不會受到米勒效應的影響(B) 耦合電容主要是影響電路的高頻響應 (C) 複數極點會以共軛對的方式出現(D) 波德圖上每經過一極點，其大小值會以每增加兩倍頻率降20dB 的速率減少。 如圖()所示，若忽略電晶體M 的輸出電容，則具有何種濾波特性？(A) 高通（high-pass）(B) 低通（low-pass） (C) 帶通（band-pass） (D) 全通（all-pass）。 承第12題，假設電晶體的gm = 5 mA/V 及ro = 10 kΩ，R = 2.5 kΩ，C = 0.008 μF，L = 3 μH，則電路的3 dB 頻寬值約為？(A) 8 kHz (B) 10 kHz (C) 62 kHz (D) 1MHz。 下列等於AB16 – 1238 的值？ (A) (B) 1108 (C) 8810 (D) 4816。 下列列出的各種檔案類型與其常用相關副檔名，何者完全正確？(A) 文字類型 → .txt、.csv、.mdb (B) 網頁類型 → .htm、.asp、.html (C) 音效類型 → .mp3、.wma、.png (D) 圖片類型 → .mpg、.avi、.mov。 下列何者等於( 0101.1011 )2的十進制數字？ (A) 5.5678 (B) 5.6785 (C) 5.6875 (D) 5.8756 下列何者為BIOS