碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究-电源学报.docVIP

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805. 中图分类号：TM 86 文献标志码：A 碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究 ( 浙江大学电气工程学院，杭州 310027 摘要：本文通过对Cree公司三代SiC MOSFET样品在-160oC至200oC温度下进行测试，提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势，以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系。运用建立物理模型的方法，对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究。解释了SiC MOSFET的的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因，是栅极SiO2/SiC存在的陷阱密度在逐代下降。通过计算机仿真拟合转移特性随温度的变化，验证了新产品的界面态密度的降低，同时SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升。 SiC MOSFET；温度；导通电阻；阈值电压；迁移率；界面态 Comparative Study of Temperature-dependent Characteristics in SiC MOSFETs JIANG Furong, YANG Shu, SHENG Kuang (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) Abstract: This work investigates electrical characteristics and stability of three generations of SiC MOSFETs with temperature varying from -160 oC to 200 oC. In particular, temperature-dependence of threshold voltage and on-resistance, as well as the impact of gate bias on on-resistance have been compared and analyzed. It is found that threshold voltage shows smaller temperature dependence from the 1st generation to the 3rd generation, a plausible reason of which is a lower density of interface traps at the SiO2/SiC interface. By fitting the transfer curves at various temperatures using TCAD simulation, it is verified that the latest generation of SiC MOSFET features reduced interface trap density, suggesting significant improvement in SiC MOSFET technology in the past few years. Keywords: SiC MOSFET; temperature dependence; on-resistance; threshold voltage; mobility; interface state 引言 相比于传统硅（Si）材料，碳化硅（silicon carbide, 简称SiC）材料因其更宽的禁带宽度（3.26eV）、更高的热导率和更高的临界击穿场强，在大功率开关电路和电力系统应用领域得到了广泛的关注[1-2]。SiC功率器件最突出的性能优势在于其高压、高频和高温工作特性，可以有效地降低电力电子系统的功率损耗。目前，国际上以美国Cree公司，日本Rohm公司等为代表的半导体器件厂商，已在SiC MOSFET器件产品化道路上取得了巨大进展。目前，已推出沟槽型SiC MOSFET只有Rohm、neon公司等，SiC MOSFET产品绝大多数为N沟道平面垂直结构。在2010年和2013年分别生产出第一代和第二代1200V SiC MOSFET后，Cree公司于2015年推出了基于第三代技术的900 V平面型SiC MOSFET。作为行业内第一款900 V SiC MOSFET，这一产品不仅拓展了SiC MOSFET产品的电压等级，更表现出比同等级Si基超级结MOSFET更低的导通电阻[3]。 由于半导体材料对温度变化十分敏感，环境温度的改变对Si