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离子布植掺杂物及锌覆盖层对镍化矽热稳定性影响-国家奈米元件实验室
2
23
NANO COMMUNICATION19No.1
Improve Thermal Stability Behavior of
Nickel Silicide with Ion Implantation
Species and Zn Capping Layer
1 1 2 1 1*
1 2
700 oC
Abstract
In t his work, we investigated t he inf luence of B, BF , As and P ion implantation on t he t hermal stability and elect rical
2
behavior on t he interlayer nickel silicide NiSi film. T he B/ BF species ion implantation can prevent t he nickel silicide
2
from agglomeration and phase transformation, on the contrary, the As/ P species ion implantation cant prevent the nickel
silicide from surface agglomeration eectively. This result is contributed to that the thermal stability of B and BF2 species ion
implantation is better than the As and P species ion implantation. In additional, when the Zn interlayer was instead of TiN
capping layer to form the nickel silicide, the thermal stability of the nickel silicide was improved. As or P nickel silicide based
on the Zn interlayer has disordered grains and agglomerated situation on the surface until 700 oC, however, B or BF2 nickel
silicide based on the Zn interlayer shows a high thermal stability at 700 oC
Keywords
Zn Interlayer
NiSi
Ions Implant
Agglomeration
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