磁控溅渡氮氧化矽薄膜材料之机械性质检测与分析及其在微机电装置之.docVIP

磁控濺渡氮氧化矽薄膜材料之機械性質檢測與分析 氮氧化矽(SiOxNy)薄膜是一種新興的薄膜材料，具有良好的光電性能、機械性質和化學穩定性能，在微機電製程上被廣泛的應用。氮氧化矽(SiOxNy)薄膜因其氮氧混合組成比例的可調特性，可替代氮化矽(Si3N4)薄膜成為紅外線感測器的新興複合性薄膜沈積材料。本文將針對射頻磁控濺渡沈積的氮氧化矽(SiOxNy)薄膜做一系列的機械性質檢測，主要是利用奈米壓痕技術對薄膜的機械性質進行檢測，觀察不同氮氧混合比例以及不同的熱退火溫度處理下，氮化矽(Si3N4)薄膜機械性質的差異。本文首先利用射頻磁控濺渡系統沈積五種不同氮氧混合比例的氮氧化矽(SiOxNy)薄膜，而後將沈積後的薄膜分別做熱退火處理；利用奈米壓痕檢測方法檢測氮氧化矽(SiOxNy)薄膜的彈性模數及硬度；利用接觸式探針求取氮氧化矽(SiOxNy)薄膜曲率計算薄膜沈積後的殘留應力；藉由維氏硬度測試系統搭配電子顯微鏡量測壓痕裂縫長度，以此求取氮氧化矽(SiOxNy)薄膜的破壞韌性。本文的機械性質檢測結果期許能提供紅外線感測器的設計依據，同時也利於。氮氧化矽介電層以及一些高介電係數材料被用來取代傳統的二氧化矽成為 MOSFET的閘極介電層(εr)可調整區域為3.9 (SiO2)~7.8 (Si3N4) [7]；薄膜殘留應力可由氧化矽(SiO2)的壓應力及氮化矽(Si3N4)的拉應力做調整[8.9]。由於氮氧化矽(SiOxNy)具有氮氧含量混合比例的可調性，可使氮氧化矽(SiOxNy)薄膜擁有低殘留應力以及較高的可靠度。 氮化矽(Si3N4)薄膜在微機電系統上的應用可用於紅外線感測器上，如(圖1)所示，紅外線感測器的微結構為複合材料懸臂樑構造，氮化矽(Si3N4)薄膜沈積在鋁材上形成一複合材料。在微懸臂樑上的複合材料薄膜在吸收紅外線光譜後會使微懸臂樑結構產生變位，產生變形後可利用壓電電阻、光學及電容等轉換方法得到吸收光譜的資訊[10-13]。而氮化矽(Si3N4)薄膜的紅外線光譜吸收波數約為840cm-1，意即氮化矽(Si3N4)僅能感測波數約為840cm-1的物體。使用氮氧化矽(SiOxNy)沈積製成的微懸臂樑結構紅外線感測器，由於其氧與氮的比例不同可製成不同氮氧比例的氮氧化矽(SiOxNy)薄膜，不同成分比例的氮氧化矽(SiOxNy)薄膜亦會有不同的光譜吸收波數[14]，而吸收光譜可利用傅立葉轉換紅外線光譜儀(FT-IR Spectroscope)量測。氮氧化矽(SiOxNy)薄膜吸收光譜如(圖2)所示，氧化矽(SiOx)吸收光譜波數約為1075 cm-1，SiOxNy薄膜的吸收光譜波數介於氮化矽與氧化矽之間 (840 cm-1~1075 cm-1)。調整氮氧化矽(SiOxNy)的氮氧含量比例會有不同的光譜，此混合比例可調特性將可替代氮化矽(Si3N4)成為紅外線感測器的新興複合性材料。 在氮化矽(Si3N4)薄膜研究方面，Yan[15-16]等人探討電漿輔助化學氣相(PECVD)製程沈積而成氮化矽(Si3N4)薄膜在熱退火處理前後，PECVD氮化矽(Si3N4)薄膜機械性質有何不同，檢測結果發現PECVD氮化矽(Si3N4)薄膜之彈性模數、硬度、殘留應力、破壞韌性與介面韌性會因熱退火處理而有所改變。在彈性模數與硬度方面，熱退火溫度增加此兩性質會變大；在熱退火處理溫度為 400℃時殘留拉應力最大；在破壞韌性方面，熱退火處理溫度在800℃時明顯增大；薄膜與基材之介面韌性，熱退火處理溫度越高，介面韌性有變大的特性。除此之外Yan等人由實驗結果亦發現了基材效應，分別以Modified King Model 與FEM驗證基材對於奈米壓痕實驗所造成之影響。 ﹝圖1﹞Si3N4/Al複合材料紅外線探測器SEM圖 ﹝圖2﹞SiOxNy薄膜吸收光譜[14] 氮氧化矽(SiOxNy)薄膜目前多用電漿輔助化學氣相(PECVD)製程沈積，而利用PECVD沈積的氮氧化矽(SiOxNy)薄膜會因氫氧原子介入而導致鍵結不完整，如Si-H，O-H及N-H鍵結形式存在，會產生SiH2Cl2，SiH4與NH4等化學合物產生[9]。氫氧原子介入導致的鍵結不完整會使薄膜有缺陷存在，這些缺陷會對氮氧化矽(SiOxNy)薄膜的光電性質及機械性質有一定程度的限制。為了防止氫介入所導致的影響，在使用PECVD製程所沈積的薄膜，需作約850℃的熱處理消除氫元素[17]，然而經熱處理過後又會產生額外的熱應力，熱應力會對微機電製程及CMOS製程有不好的影響。利用射頻磁控濺渡系統沈積而成的氮氧化矽(SiOxNy)薄膜，將不會有氫氧原子鍵結導致的薄膜缺陷，故在本文中將對濺渡製程沈積的氮氧化矽(SiOxNy)複合式薄膜材料做機械性質討論。 熱處理在半導體與微機電製程上極為重要，熱