等离子体刻蚀工艺的物理基础!.PDFVIP

物理学和高新技术 等离子体刻蚀工艺的物理基础! 戴忠玲! ! 毛! 明! ! 王友年4 （大连理工大学物理系! 三束材料表面改性国家重点实验室! 大连! 55%$6 ） 摘! 要! ! 介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关等离子体刻蚀机理的研究进展，综述了等离子体刻蚀机理的研究 方法，着重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等离子体物理特性，特别是双频电容耦合放电等离子体和等离子体 鞘层研究中的关键问题- 关键词! ! 等离子体，刻蚀，电容耦合放电，电感耦合放电，双频，鞘层 !# $%’( )* $+,-, #.(’/0 789 :(;3=03! ! ?8@ ?03! ! A8BC D;.=B0134 （!#$ %$ ’#()*#)* )+ ,#$*-#./ ,)0-+ -1#-)2 ( ’#/$* ，3.$1*)2 ，#20 4)2 5$#6/ ，7$8 #*6$2 )+ 9:/-1/ ， 7#.-#2 ;2-$*/- )+ =$1:2).) ，7#.-#2 55%$6 ，?:-2# ） 12.3,(.4 4 E(F G12HI;.3J 13J *I;IFKK 03 )(F JFLF/;*MF3) ;N*/1KM1 F)2(03 *I;2FKKFK 1IF IFL0F,FJ- O).J0FK ;N )(F MF2(130KM ;N 21*120)0LF/P Q 13J 03J.2)0LF/P Q 2;.*/FJ J0K2(1IFK 1IF J0K2.KKFJ ，FK*F201//P )(F HFP *I;G= /FMK ;N J.1/ NIFR.F32P 21*120)0LF/P Q 2;.*/FJ J0K2(1IF 13J */1KM1 K(F1)(K- 5#%6)374 4 */1KM1 ，F)2(03 ，21*120)0LF/P=2;.*/FJ J0K2(1IF ，03J.2)0LF/P=2;.*/FJ J0K2(1IF ，J.1/ NIFR.F32P ， K(F1)( 把这种待加工的硅晶片放置到具有化学活性的低温 5! 引言 等离子体中（见图5 ），进行等离子体刻蚀- 这种具有 化学活性的等离子体通常是由氯气或碳氟气体放电 目前，低温等离子体微细加工手段是材料微纳 产生的，它不仅含有电子和离子，还含有大量的活性 加工的关键技术，因为它是微电子、光电子、微机械、 自由基（如V/ !，V/ !，W !，VW !等）- 这些活性基团沉 $ 微光学等制备技术的基础- 特别是在超大规模集成 积到裸露的硅晶片上时，与硅原子相互结合而形成 电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助于等 挥发性的氯化硅或氟化硅分子，从而对晶片进行各 离子体加工完成的，如等离子体薄膜沉积、等离子体 向异性刻蚀- 另一方面，为了控制轰击到晶片上离子 刻蚀及等离子体去胶等，其中等离子体刻蚀成为最 的能量分布和角度分布，还通常将晶片放置在一个 为关键的工艺流程之一，是实现超大规模集成电路