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红外子带间量子级联激光器的短波极限
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第 20卷第 1期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vol. 20. ::\0. 1
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摘要 从理论上探讨了复外子带问量于缀联擞光器匀短渡段发展的可能性厦其根奉性困难．厦模型国悻理论的基
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奉假设、应变能带理论 非抛物性能带的经验z-带模型、传播矩阵南分层逼近法，分析计算了以GaSh为衬底的
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InAs／A1Sb，InAs／A1 Ga Sh，和毗InP为柠底的In Ga As．／In。57A1 日As的带阱．厦其所组成的量子阱在加
和不加电场作用下的束缚杰．发现其导带最大子带遗能量差不可能超过其阱深的56 ～62 ，而且受到导带间接
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